台积电承认40纳米工艺遭遇障碍

　　在公布最新季度财报的同时，台积电也第一次公开承认，其40nm制造工艺碰到了一些麻烦。

台积电在去年底基本准时地上马了40nm生产线，并在今年第一季度贡献了大约1%的收入，高于预期水准，预计今年第二季度会达到2%左右。

台积电CEO蔡力行在回答分析师的提问时说：“良品率是有些问题。对制造商而言40nm是一项非常困难的技术。(不过)我们已经找到了问题的根源，并且已经或正在解决。”

　　结合此前消息，台积电40nm工艺可能无法很好地控制漏电率，难以制造高性能GPU芯片，不过蔡力行并未详加说明，只是声称台积电已经完成了基于28nm工艺的可用SRAM单元，预计2010年第一季度开始启用这种新工艺，届时会带来高K介质和金属栅极技术。

　　蔡力行还在会议期间对今年的多个行业进行了展望：IC产业跌20%、代工产业跌25-30%、PC出货量跌8%、手机出货量跌12%、消费电子产品出货量跌7%。

　　今年第一季度台积电收入395.00亿新台币(￥81.26亿元)，环比减少38.8%、同比减少54.8%，净利15.59亿新台币(￥3.21亿元)，环比减少87.5%、同比减少94.5%。台积电将此糟糕业绩归咎于全球经济低迷导致客户调整库存，半导体行业需求全面锐减。

　　就生产工艺而言，0.13微米依然撑起了台积电总收入的65%，其次是90nm 25%、65nm 23%、4540nm1%。

　　竞争对手联电一季度亏损81.6亿新台币，相比上季度的235.1亿新台币大为减少，并预计今年第二季度即可重新盈利，同时生产线开工率已从30%升至75%。