半导体C-V测量基础

　　这些测量考虑了与电容相关的串联与并联电阻，以及耗散因子(漏流)。图4给出了这类测量可以测出的主要电路变量。

z, theta：阻抗与相角

R+jX：电阻与电抗

Cp-Gp：并联电容与电导

Cs-Rs：串联电容与电阻

其中：Z=阻抗

D=耗散因子

θ=相角

R=电阻

X=电抗

G=电导

图4. C-V测量得到的主要电气变量

成功C-V测量的挑战

C-V测试配置的框图虽然看上去非常简单，但是这种测试却具有一定的挑战。一般而言，测试人员在下面几个方面会遇到麻烦：

·低电容测量（皮法和更小的值）

·C-V测试仪器与圆片器件的连接

·漏电容（高D）的测量

·利用硬件和软件采集数据

·参数提取