一种新的晶圆级1/f噪声测量方法

　　图3. 不同栅极偏压下测得的噪声数据

　　为了分析栅氧电容相关性或进行其他进一步的研究，我们还测量了不同栅氧厚度下的1/f噪声。图4给出了不同栅氧厚度下的测试结果。

　　图4. 不同栅氧厚度下pMOS器件的1/f噪声测量数据

　　然后，我们就可以估算出1/f噪声参数，建立不同的模拟模型。图5给出了在一个p沟道MOSFET的强反型区中测得的漏极电流噪声功率。