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NAND型闪存控制器IC　GBDriver　RA6 RoHS指令对应产品

PCMCIA，ATA接口型

编入设备/ 硅磁盘/CompactFlash® 用

NAND型闪存通过反复修改存储单元结构，单元大小及功能，随着微小化的发展快速地推进着大容量化和低价格化。
但是，如果在不确保兼容性的情况下加速闪存的更新换代，会使NAND型闪存的供应变得困难，并使系统导入及系统设计受到局限的风险
增大。
TDK GBDriverRA6可在支持传统NAND型闪存的同时，通过控制最新闪存（TwoPlane吸入闪存）排除此类风险。
由于GBDriverRA6对应了最大传输速度33.3MB/s的UltraDMA Mode2，所以能够以业界最高水平的速度控制最新闪存。
此外，还采用了全新的写入分散处理方法。即使对内存进行了不平衡的写入，也可以控制写入使其不集中在闪存的一个部分。
配合本次新装备的系统强化功能（智能命令对应及所有扇区数设置功能[限幅功能]），可以实现NAND型闪存的长寿命化，并且在替代HDD
的用途中，也可以放心使用NAND型闪存。

特点 形状· 尺寸
●对应PIO-Mode2。突发写入时为20MB/s （相当于138倍速），向主 TQFP128pin Single Chip

1
机的读出性能也实现了23MB/S （相当于150倍速） 。 96 65
●可控制最大8GB的闪存。对应多家闪存供应商。2

●采用通过TDK 独有的闪存控制系统提高客户系统耐电源遮断性的 97 64

设计。
●命令应答规范及电源管理规范依据CF+and CompactFlash
Specification Version3.0。
●支持智能命令。搭载有在NAND型闪存的使用过程中可将块数，空
2 2
块数，不良块数作为数值读出的功能，因此可以预测内存的使用 0. 0.
± ±
0 0
寿命。 4. 6.