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【应用技术】半导体器件实验室——测量范例

无限幻想
高工
2012-05-01 19:43:05 打赏
半导体器件 / 微电子教学实验室典型的主题包括制造和分析各种器件：
1. MOS 电容器
主题
C-V 曲线 (高频：100kHz)：
掺杂类型 – 氧化层厚度 – 平带电压 – 阈值电压 – 衬底掺杂 – 最大耗尽层宽度 – 反型层到平衡的灵敏度：电压扫描率和方向 – 光效应和温度效应。
I-V 曲线分析：
电荷建立 (测量电压 - 时间图，用低电流源)； 氧化层电容测定； 与 C-V 曲线比较。
C-V 曲线 (准静态) 结合 C-V 曲线：
表面电位 Ψs与施加电压的关系 – Si (100) 的表面态密度 Dit= f (Ψs) 与 Si (111) 的相比：方向和后处理退火的影响。
C-V 曲线 (高频：100kHz)：
移动氧化层电荷密度 (偏压温度应力：200°C，10 分钟，±10V)
2. 双极结型晶体管
主题
正向共发射极输出特性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 测量。
正向 CE 输入特性：Ib = f (Vbe) 对于几个 Vce 正值。
正向 Gummel 曲线： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
确定增益 βf = Ic/Ib 和 af。
Βf 与 log(Ic) 的关系： 低注入和高注入的效果。
非理想特性：尔利电压。
反向 CE 输出特性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
反向 CE 传输特性：Ib=f(Vbe) 对于几个Vce负值。
反向 Gummel 曲线： logIe, logIb=f(Vbc>0).
确定增益 βr = Ie/Ib 和 ar。
Βr 与 log(Ie) 的关系： 低注入和高注入的效果。
Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 确定，对于给定的 Ib 电流。
Ebers Moll 模型构建并且与实验做比较。
BE 和 CE 结的 C-V 特性分析。基区掺杂浓缩。
3. 亚微米集成 MOSFET
主题
输出特性：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增强或耗尽)，沟道长度调制参数(λ) 在饱和区域 (VDS<–3V) 有效沟道长度与 VDS的关系。
传输特性：
IDS= f(VGS) and Transconductance gm= f(VGS) in the linear region (VDS= –0.1V): Determination of the threshold voltage VTand of the transconductance factor k. Derivation of the effective channel mobility μeffas function of VGS.
衬底偏压特性：
IDS= f(VGS,VBS>0), determination of the γ factor in the linear region (VDS= –0.1V). Doping concentration substrate.
亚阈值特性：
log (IDS) = f(VGS) for several high VDSvalues: Drain Induced Barrier Lowering (VTshift) effect.
衬底电流特性：
log (Ibs) = f(VGS) for several high VDSvalues: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.
使用长沟道和短沟道公式的输出特性模型：
比较实验结果。
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关键词： 应用技术 半导体 器件 实验室 测量 范例 特性

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