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氮化镓产品的优点:
A,可以高频化,传统硅在高压下工作频率做不到200K以上.体积下不来,氮化镓可


以做到几M的频率,300K-500K的设计可以使产品小型化.
B,体内没有PN结,没有二极管,但有二极管的续流特性,反向续流损耗大大降低.
C,氮化镓的结电容远小于COOL-MOS, MOSFET,上升,下降,死区损耗明显降低.
D,开关损耗很小,相对MOSFET可忽略.正因开关损耗很小,EMI反好.不用担心高频


化后EMI解决不了事.


传统无桥PFC受硅材料MOSFET的限制,因为MOSFET/COOL-MOS体内均有一个体内二


极管.这个二极管速度很慢,均在100nS以上.这样用在无桥PFC中加大了续流损耗


及效率.
氮化镓MOS的出现(HEMT)解决了这个问题, 氮化镓MOS是体内无真正的二极管,没


有形成PN结,但有导电层,所以内部没有寄生二极管,但有二极管的续流特性,从


而真正作到0.

采用氮化镓的无桥PFC可以将效率做到99.3%以上. 同时体积会大大降低.

https://www.dropbox.com/s/bbttkogw2x8esmw/%E9%87%87%E7%94%A8%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%95%93FET%E7%9A%84%E6%97%A0%E6%A1%A5PFC%20%E6%95%88%E7%8E%87%E8%BE%BE99.3%25.pdf

https://www.dropbox.com/s/h295cnwhi2miyri/TDPS500E2C1-KIT%20PFC%201000W%E6%97%A0%E6%A1%A5PFC%E5%BA%94%E7%94%A8.pdf