国外主要集成电路生产厂家的集成电路命名方法 |
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器件型号举例说明
| AM | 29L509 | P | C | B |
| AMD首标 | 器件编号 | 封装形式 | 温度范围 | 分类 |
| "L"：低功耗； | D：铜焊双列直插 | C：商用温度， | 没有标志的 | |
| "S"：肖特基； | （多层陶瓷）； | （0-70）℃或 | 为标准加工 | |
| "LS"：低功耗肖特基； | L：无引线芯片载体： | （0-75）℃； | 产品，标有 | |
| 21：MOS存储器； | P：塑料双列直插； | M：军用温度， | "B"的为已 | |
| 25：中规范（MSI）； | E：扁平封装（陶瓷扁平）； | （-55-125）℃； | 老化产品。 | |
| 26：计算机接口； | X：管芯； | H：商用， | ||
| 27：双极存储器或EPROM ； | A：塑料球栅阵列； | （0-110）℃； | ||
| 28：MOS存储器理； | B：塑料芯片载体 | I：工业用， | ||
| 29：双极微处理器； | C、D：密封双列； | （-40～85 ）℃； | ||
| 54/74：同25； | E：薄的小引线封装； | N：工业用， | ||
| 60、61、66：模拟，双极； | G：陶瓷针栅陈列； | （-25～85）℃； | ||
| 79：电信； | Z、Y、U、K、H：塑料 | K：特殊军用， | ||
| 80：MOS微处理器； | 四面引线扁平； | （-30～125）℃； | ||
| 81、82：MOS和双极处围电路； | J：塑料芯片载体（PLCC）； | L：限制军用， | ||
| 90：MOS； | L：陶瓷芯片载体（LCC）； | （-55-85）℃＜ | ||
| 91：MOS RAM： | V、M：薄的四面 | 125℃。 | ||
| 92：MOS； | 引线扁平； | |||
| 93：双极逻辑存储器 | P、R：塑料双列； | |||
| 94：MOS； | S：塑料小引线封装； | |||
| 95：MOS外围电路； | W：晶片； | |||
| 1004：ECL存储器； | 也用别的厂家的符号： | |||
| 104：ECL存储器； | P：塑料双列； | |||
| PAL：可编程逻辑陈列； | NS、N：塑料双列； | |||
| 98：EEPROM； | JS、J：密封双列； | |||
| 99：CMOS存储器。 | W：扁平； | |||
| R：陶瓷芯片载体； | ||||
| A：陶瓷针栅陈列； | ||||
| NG：塑料四面引线扁平； | ||||
| Q、QS：陶瓷双列。 |
| AD | 644 | A | S | H | /883B |
| ANA首标 | 器件 | 附加说明 | 温度范围 | 封装形式 | 筛选水平 |
| AD：模拟器件 | 编号 | A：第二代产品； | I、J、K、L、M： | D：陶瓷或金属气 | MIL-STD- |
| HA：混合 | DI：介质隔离产 | （0-70）℃； | 密双列封装 | 883B级。 | |
| A/D； | 品； | A、B、C： | （多层陶瓷）； | ||
| HD：混合 | Z：工作在+12V | （-25-85）℃； | E：芯片载体； | ||
| D/A。 | 的产品。（E：ECL） | S、T、U： | F：陶瓷扁平； | ||
| （-55-125）℃。 | G：PGA封装 | ||||
| （针栅阵列）； | |||||
| H：金属圆壳气 | |||||
| 密封装； | |||||
| M：金属壳双列 | |||||
| 密封计算机部件； | |||||
| N：塑料双列直插； | |||||
| Q：陶瓷浸渍双列 | |||||
| （黑陶瓷）； | |||||
| CHIPS：单片的芯片。 | |||||
| 同时采用其它厂家编号出厂产品。 | |||||
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