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先确定主路反馈绕组匝数，其他绕组的匝数以主路绕组匝数作为参考即可。主反馈回路绕组匝数为：

则其余输出绕组的匝数为：

辅助线圈绕组的匝数Na为：

7. Step7：确定每个绕组的线径
根据每个绕组流过的电流RMS值确定绕组线径。

初级电感绕组电流RMS：

次级绕组电流RMS由下式决定：

ρ为电流密度，单位：A/mm2，通常，当绕组线圈的比较长时（>1m）,线圈电流密度取5A/mm2；当绕组线圈长度较短时，线圈电流密度取6～10A/mm2。当流过线圈的电流比较大时，可以采用多组细线并绕的方式，以减小集肤效应的影响。

其中，Ac是所有绕组导线截面积的总和，KF为填充系数，一般取0.2～0.3.
检查磁芯的窗口面积（如图7（a）所示），大于公式21计算出的结果即可。

8. Step8：为每路输出选择合适的整流管
每个绕组的输出整流管承受的最大反向电压值VD（n）和均方根值IDrms（n）如下：

选用的二极管反向耐压值和额定正向导通电流需满足：


9. Step9：为每路输出选择合适的滤波器
第n路输出电容Cout（n）的纹波电流Icaprms（n）为：

选取的输出电容的纹波电流值Iripple需满足：

输出电压纹波由下式决定：

有时候，单个电容的高ESR，使得变换器很难达到我们想要的低纹波输出特性，此时可通过在输出端多并联几个电容，或加一级LC滤波器的方法来改善变换器的纹波噪声。注意：LC滤波器的转折频率要大于1/3开关频率，考虑到开关电源在实际应用中可能会带容性负载，L不宜过大，建议不超过4.7μH。

10. Step10：钳位吸收电路设计
如图8所示，反激变换器在MOS关断的瞬间，由变压器漏感LLK与MOS管的输出电容造成的谐振尖峰加在MOS管的漏极，如果不加以限制，MOS管的寿命将会大打折扣。因此需要采取措施，把这个尖峰吸收掉。

反激变换器设计中，常用图9（a）所示的电路作为反激变换器的钳位吸收电路（RCD钳位吸收）。
RClamp由下式决定，其中Vclamp一般比反射电压Vor高出50～100V，LLK为变压器初级漏感，以实测为准：


（图9 RCD钳位吸收）
CClamp由下式决定，其中Vripple一般取Vclamp的5%～10%是比较合理的：

输出功率比较小（20W以下）时，钳位二极管可采用慢恢复二极管，如1N4007；反之，则需要使用快恢复二极管。