EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋转移扭矩MRAM(STT-MRAM)是非易失性存储器,在DDR3速度下具有非挥发性和高耐久性。该设备能够以高达1333MT /秒/引脚的速率进行DDR3操作。它的设计符合所有DDR3 DRAM功能,包括设备端接(ODT)和内部ZQ校准,但具有数据持久性和极高的写周期耐久性的优点。借助Spin-Torque MRAM技术,不需要刷新单元,从而大大简化了系统设计并减少了开销。
所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步,输入锁存在时钟交叉点。 I/O与一对双向选通脉冲(DQS,DQS)同步。该器件使用RAS / CAS多路复用方案,并在1.5V下工作。
特征
•非易失性256Mb(32Mb x 8,16Mb x 16)DDR3
•支持标准DDR3 SDRAM功能
•VDD = 1.5v +/- 0.075v
•高达667MHz fCK(1333MT /秒/针)
•页面大小为512位(x8)或1024位(x16)
•设备上终止
•片上DLL将DQ,DQS,DQS转换与CK转换对齐
•所有地址和控制输入均在时钟的上升沿锁存
•突发长度为8,可编程突发斩波长度为4
•标准10x13mm 78球(x8)或96球(x16)BGA封装
DDR3 DRAM兼容性
Everspin DDR3自旋扭矩MRAM与JEDEC标准JESD79-3F中定义的DRAM操作的DDR3标准完全兼容,但本数据表中已指出和定义的例外和改进之处。
•自旋扭矩MRAM是非易失性存储器。无论何时出于任何原因断开设备电源,已关闭/预充电存储区中的所有数据都将保留在内存中。
•在某些情况下,命令时间会有所不同。
•DDR3标准适用于高于256Mb的密度,从而导致寻址和页面大小差异。
•突发类型/突发顺序仅支持CA <2:0 = 000或100的连续突发类型。
•当MRAM与本标准之间的功能,时序,参数或条件相同时。
关于Everspin
Everspin Technologies,Inc.总部位于亚利桑那州钱德勒,是设计和制造和商业销售MRAM和自旋传递扭矩MRAM(STT-MRAM)的翘楚,其市场和应用领域涉及数据持久性和可靠性。完整性和低延迟以及安全性至关重要。Everspin MRAM在数据中心,云存储,能源,工业,汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品,为全球MRAM用户奠定了最强大,增长最快的基础。
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everspin代理256MbDDR3自旋转移扭矩STT-MRAM
关键词: everspin STT-MRAM MRAM
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