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一、可控硅简介
可控硅 ， 也叫晶闸管 ， 广泛应用于交流控制系统中 ， 可实现小功率控制大功率设备 。 可控硅分 单向可控硅和双向可控硅， 双向可控硅在结构上相 当于两个单向可控 硅反向连接 ， 可以实现双向导通 。
以BTA 41为例，其电 路符号及封装如下：

G极为控制极，当G极有正向（或负向）脉冲时，双向可控硅导通，直到交流信号过零点时关断，如下图所示。
因此，要通过单片机控制输出电压，首先需要检测交流信号的过零点，然后延时一定时间后，输出一个脉冲，使可控硅导通。 延时时间越长，导通时间越短，输出电压越低。

二、电路设计
首先，过零检测电路如下图所示。 原理比较简单，由一个整流桥和光耦组成。

输出波形如下图所示， 上方为整流桥输出的波形，下方为光耦输出的波形。 光耦输出端直接接单片机IO口即可。

可控硅驱动一般采用专用的光耦，该光耦内部集成了小功率的可控硅，用于驱动外部大功率的可控硅。 电路如下图所示：

三、程序设计
首先使能外部中断和一个定时器，定时器打开溢出中断。 初始化部分可参考之前的公众号文章。 外部中断用于检测过零点，定时器用于控制导通角和输出脉冲。
调压过程： 单片机外部中断被触发后（检测到过零点），根据要输出的电压，计算导通角（延时时间），通过定时器设置延时时间，开启定时器溢出中断。 定时时间到后输出一个脉冲，控制可控硅导通。 程序如下：
外部中断函数：

void HAL_GPIO_EXTI_Callback(uint16_t GPIO_Pin){ ac_flag = 0; if(VoltFan != 0) { if(VoltFan > 220)//大于220V 直接导通 { HAL_GPIO_WritePin(DOUT2_GPIO_Port,DOUT2_Pin,GPIO_PIN_SET); } else { ac_delay = ac_delay_us[VoltFan/5];//查表获得延时时间 __HAL_TIM_SET_AUTORELOAD(&htim2,ac_delay);//设置定时器延时时间 __HAL_TIM_ENABLE_IT(&htim2,TIM_IT_UPDATE); __HAL_TIM_ENABLE(&htim2); } }}

定时器中断函数：

void TIM2_IRQHandler(void){/* USER CODE BEGIN TIM2_IRQn 0 */
/* USER CODE END TIM2_IRQn 0 *///HAL_TIM_IRQHandler(&htim2);/* USER CODE BEGIN TIM2_IRQn 1 */if (__HAL_TIM_GET_IT_SOURCE(&htim2, TIM_IT_UPDATE) != RESET){if(ac_flag == 0){ac_flag = 1;HAL_GPIO_WritePin(DOUT2_GPIO_Port,DOUT2_Pin,GPIO_PIN_SET);//输出脉冲__HAL_TIM_CLEAR_IT(&htim2, TIM_IT_UPDATE);__HAL_TIM_SET_AUTORELOAD(&htim2,100);//设置定时时间100us（脉冲宽度）}else if(ac_flag == 1){HAL_GPIO_WritePin(DOUT2_GPIO_Port,DOUT2_Pin,GPIO_PIN_RESET);//100us时间到 关闭脉冲__HAL_TIM_CLEAR_IT(&htim2, TIM_IT_UPDATE);__HAL_TIM_DISABLE(&htim2);}}/* USER CODE END TIM2_IRQn 1 */}

可控硅的触发脉冲一般在20~50us即可，感性负载脉冲宽度需要加大，一般不小于100us。
程序中延时时间是预先计算好通过查表获得的。 计算方法通过计算sinx的积分获得，可参考下表：