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3300V碳化硅MOS器件承受更高的击穿电压，有更低的电阻率，工作温度更高(国产SiCMOSFET)。

Ewyas
助工
2023-03-10 10:02:21 打赏
3300V碳化硅MOS器件承受更高的击穿电压，有更低的电阻率，工作温度更高。

https://pan.baidu.com/s/1dRH2U5lIepj6kNcJwRyvcw提取码upv6。更能胜任在特别需要更高耐压以及雪崩等级的工业领域的设计要求,对要求高频的应用更是不二选择,高频特性让电路中的磁性单元体积更小,重量更轻。反向恢复时间“零”特性让电路的开关损耗大幅度降低,加上更优异的热传导系数,让工程师在设计散热方面不再烦恼。最终让总体成本得到优化。


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关键词： 大功率脉冲功率源 SiCMOSFET 碳化硅MOS

springvirus
高工
2023-03-10 10:13:00 打赏
2楼
3300V碳化硅MOS器件承受更高的击穿电压，有更低的电阻率，工作温度更高(国产SiCMOSFET)。



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springvirus
高工
2023-03-10 10:13:15 打赏
3楼

学习一下


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shaoziyang
专家
2023-03-10 10:24:17 打赏
4楼

谢谢分享


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jwdxu2009
专家
2023-03-10 10:51:45 打赏
5楼

参考和学习


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huan2220
高工
2023-03-10 12:58:22 打赏
6楼

感谢分享


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Ewyas
助工
2023-03-17 11:57:24 打赏
7楼

3300V碳化硅MOS器件承受更高的击穿电压


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