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以往的超级结MOSFET具有导通电阻低、开关速度快的特点，但存在因其高速性而噪声较大的课题。EN系列是结合了平面MOSFET的低噪声特性与SJ MOS的低导通电阻特性的系列产品。下面是ROHM第一代标准特性的AN系列、其他公司同等产品及EN系列的噪声特性比较图。

EN系列因其保持了平面MOSFET的噪声水平、且导通电阻更低，因而是改善平面MOSFET的传导损耗的替代品。A・Ron的比较中，与平面MOSFET相比，以往产品AN系列降低65%，EN系列则降低达80%。

该系列的产品阵容如下。1款机型具有多种封装。

■R60xxENx系列：低噪声

DSS D DS 机型名BV(V)I(A)R(on) (Ω)Qg (nC)封装 R6002ENx R6004ENx R6007ENx R6009ENx R6011ENx R6015ENx R6020ENx R6024ENx R6030ENx R6035ENx R6047ENx R6076ENx

600	1.7	2.8	6.5	CPT/TO252☆
	4	0.9	15	CPT/TO252☆/LPT/TO220FM
	7	0.57	20	TO252/LPT/TO220FM
	9	0.5	23	TO252/LPT/TO220FM
	11	0.34	32	TO252/LPT/TO220FM
	15	0.26	40	LPT/TO220FM/TO3PF
	20	0.17	60	LPT/TO220FM/TO3PF/TO247
	24	0.15	70	LPT/TO220FM/TO3PF/TO247
	30	0.115	85	LPT/TO220FM/TO3PF/TO247
	35	0.095	110	TO3PF/TO247
	47	0.07	145	TO247
	76	0.04	260	TO247

※机型名最后的x根据封装类型代入相应的字母。
D : CPT3 (D-Pak), J : LPT (D2-Pak), X : TO220FM, Z : TO3PF, Z1 : TO247, D3 : TO252
※ ☆ : 开发中