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IGBT 是兼备 MOSFET 和双极晶体管优点的晶体管。MOSFET 由于栅极是被隔离（绝缘）的，因此具有输入阻抗高、开关速度较快的优点，但其缺点是在高电压时导通电阻较高。双极晶体管即使在高电压条件下导通电阻也很低，但存在输入阻抗低和开关速度慢的缺点。而 IGBT 则是弥补了这两种器件各自的缺点的晶体管，具有输入阻抗高、开关速度快*、即使在高电压条件下也能实现低导通电阻的特点。 在开关速度上，IGBT比MOSFET慢，但比双极晶体管快。

IGBT 和 MOSFET 等功率元器件应根据其特点物善其用。此外，功率器件除了以器件单品（分立半导体）的形式使用外，将器件与其他基本部件组合在一起的“模块”应用范围也很广泛。

图 2 是从输出容量和工作（开关）频率的角度出发绘制的 IGBT、Si MOSFET、SiC MOSFET 和双极晶体管的适用范围。另外，还对分立产品和模块的适用范围进行了区分。

IGBT 分立产品覆盖 1kHz～50、60kHz 的频率范围、稍高于 1kVA 的输出容量范围。对于 IGBT 模块而言，根据与其他部件的组合等情况，工作频率上限程度相同，但输出容量范围可高达 100MVA 以上。随着输出容量的增加，工作频率会因为开关损耗等的限制而降低。通过这张图，应该可以对每种功率器件的特点和适用范围有一个整体印象。