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额外掩膜层成本过高,SoC运动将“寿终正寝”?
英特尔公司架构经理Jay Heeb在国际固态电路会议上宣称,把数字逻辑与存储和模拟功能集成所需的额外掩模层成本太高,致使系统级芯片(SoC)运动走至“绝境”。芯片工业将转向与当今堆迭封装关系不大的三维芯片。 Heeb负责管理英特尔Xscale处理器内核的设计,在ISSCC会议上对面向3G手机的未来集成电路发表了他的意见。“我们应该采用一种3维系统封装So3D把多种技术集成起来。” 他不太愿意使用“封装”这个词,因为3D集成的外延更大。 Heeb承认英特尔目前开发的蜂窝电话芯片包含需数个额外掩模层的片上闪存,该芯片适合当今的无线手机市场。他说,2010年将上市的3G手机内存更高,需要采用另外一种不同的方法。到2010年,3G无线手机将实现语音输入开机,手机视频信息流将成为主流。语音和视频对“存储容量的要求非常高,这意味着手机芯片组内近90%的晶体管将是非易失性存储器。与集成到单裸片上相比,3D集成技术将更为实用。” 不过,Heeb的观点遭到德州仪器公司无线IC运作部高级计划经理Avner Goren的强烈反对。TI已研制出系统级芯片,把模拟功能集成到单数字CMOS芯片上,大大减少了设计使用的元件包括无源器件的数量。 Goren表示,“我们已经成功实现了面向蓝牙的芯片,”将同样把该技术应用于手机市场。TI的设计小组把GSM手机的基带功能与数字无线和集成功率管理功能相整合。“明年我们将研制全CMOS的单芯片。外围器件只有功放和约25个无源元件。”
关键词: 额外 掩膜层 成本 过高 运动 寿终正寝
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