可以消除开关噪声的DDR内存系统电源
本设计介绍了一种应用于DDR内存系统的独特、低成本的电源电路。
常规DDR内存系统包括一个双反向转换器和一个输出参考电压。与常规设计不同，本文用线性调节器代替反向转换器，见图1，具有消除PWM转换器开关噪声的优点。
DDR内存系统要求稳定的2.5V主电源(VDD)、端电压(VTT)和参考电压(VREF)，其中VDD、VTT可引出和吸收电流，，这些要求给电源设计者带来新挑战。
本电路中，低压同步反向器产生8A，2.5V的主电源VDD输出，VTT和VREF通过运放的线性调节设计实现。电路专门为低功耗DDR系统(如pc机)设计，根据需要可通过改变电感、电容设计大功率系统(如PC工作站)。VDD驱动内存集成电路和缓存接口电路，VTT驱动上拉电阻。由于上拉电阻功耗，为降低功耗，使，此时功耗仅为原来的1/4。VREF为接收端电路的微分放大器提供输入电压。
电路中利用了On Semiconducton NCP1571低压同步反向控制器产生2.5VDD，控制器包括N沟道MOSFET(瞬态响应时间为200ns)反向调节器的必要电路，允许偏差为±1%的输出、200kHz固定内部频率。
如上述，，约为1.25V，运算放大器U2a、U2b为电压跟随器，产生VTT，VDD经R5、R6分压后作为U2b的输入产生VREF。U2b具有过滤功能，可消除同步反向转换器产生的高频开关噪声，VTT输出由U2a、Q3、Q4通过电压跟随电路配置产生。因此，VTT输出为50% VDD，而不是静态1.25V。■
图1 产生三端输出电压(VDD, VTT, VREF)的DDR内存系统电源。本设计利用了反向转换器和线性调节器。
常规DDR内存系统包括一个双反向转换器和一个输出参考电压。与常规设计不同，本文用线性调节器代替反向转换器，见图1，具有消除PWM转换器开关噪声的优点。
DDR内存系统要求稳定的2.5V主电源(VDD)、端电压(VTT)和参考电压(VREF)，其中VDD、VTT可引出和吸收电流，，这些要求给电源设计者带来新挑战。
本电路中，低压同步反向器产生8A，2.5V的主电源VDD输出，VTT和VREF通过运放的线性调节设计实现。电路专门为低功耗DDR系统(如pc机)设计，根据需要可通过改变电感、电容设计大功率系统(如PC工作站)。VDD驱动内存集成电路和缓存接口电路，VTT驱动上拉电阻。由于上拉电阻功耗，为降低功耗，使，此时功耗仅为原来的1/4。VREF为接收端电路的微分放大器提供输入电压。
电路中利用了On Semiconducton NCP1571低压同步反向控制器产生2.5VDD，控制器包括N沟道MOSFET(瞬态响应时间为200ns)反向调节器的必要电路，允许偏差为±1%的输出、200kHz固定内部频率。
如上述，，约为1.25V，运算放大器U2a、U2b为电压跟随器，产生VTT，VDD经R5、R6分压后作为U2b的输入产生VREF。U2b具有过滤功能，可消除同步反向转换器产生的高频开关噪声，VTT输出由U2a、Q3、Q4通过电压跟随电路配置产生。因此，VTT输出为50% VDD，而不是静态1.25V。■
图1 产生三端输出电压(VDD, VTT, VREF)的DDR内存系统电源。本设计利用了反向转换器和线性调节器。
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