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　　为了配合英特尔不久前刚宣布的Xeon 5500系列处理器的需求问题，三星电子准备开始50纳米的DDR3量产。

　　DDR3是第3代的同步双速率存储器。三星及业界都相信今年底将成为全球存储器的主流技术。但也有些分析师，包括Needham的Edwin Mok认为DDR3今年可能不会有实质性的太多进展。

　　三星表示DDR3能使设计servers的OEM与DDR2相比较，每个系统提升到192Gb，并在功能提高一倍时功耗降低60%(速度提高到每秒133Mb时)。

　　未来Xeon 5500处理器结合DDR3的应用将大大提升企业server的数据传输速率。

　　英特尔上月正式推出45纳米的Nehalm服务器版本，Xeon 5500芯片将可把存储器控制芯片及高速互联集成在一起。

　　按三星公司的说法，DDR3的解决方案己经得到Intel 5500平台的验证。三星的DDR3器件已经通过英特尔的验证程序，包括1Gb、2Gb、4Gb、8Gb直到16Gb的双线存储器模块(DIMMs)以及1Gb、2Gb、4Gb不带缓存的DIMMs。

　　与60nm的DDR3芯片比较，三星最新推出的50nm芯片每秒速率可达800Mb、1066Mb及1333Mb，并在1333Mbps时功耗降低40%。

关键词： 三星 DDR3 存储器