南亚科大扩产 12寸厂拉升至5万片
台塑集团旗下DRAM大厂南亚科日前决定进行大扩产,原本规划将12寸晶圆厂产能从现有3万片提升至3.6万片,现在计划一举提升产能至5万片水平,因此将再增加250名员工,整体员工人数将达4,250人;总经理连日昌表示,目前12寸晶圆厂已回复至3万片的投片量,以68奈米制程为主,预计第2季68奈米和50奈米比重可各占一半。再者,预计南亚科2010年资本支出将扩大至新台币200亿~250亿元水平。
南亚科是这一波DRAM景气复苏之后,唯一宣布扩产的业者,且扩产幅度不断加码,显示公司对于DRAM产业后市看好,同时对于集团扩大市占率的决心也是势在必行。
南亚科目前12寸晶圆厂满载产能为3万片,主要产能仍是依赖旗下与美光合资成立的华亚科为主。2009年底以来,由于正在经历沟槽式转堆叠式技术,以及70 奈米转换至68和50奈米的考验,因此产出大幅减少,产能最低时,投片量仅1万片,日前投片量已回复至接近3万片水平。
连日昌指出,南亚科日前决定将12寸晶圆厂产能从现有的3万片扩大至5万片水平,目标是在年底前完成,因此也将持续再增加250名员工,目前现有员工数为4,000人,未来将扩大至4,250人。
南亚科2009年资本支出为146亿元,原本预计2010年资本支出为190亿元,随著12寸晶圆厂产能要大扩产,预计2010年资本支出会增加至200亿~250亿元之谱。
在目前投片量3万片水平中,连日昌表示,目前暂时以68奈米制程为主,主要是因为68奈米技术不需要浸润式机器设备(Immersion Scanner),随著50奈米制程投片量逐渐增加,预计第2季底前,68奈米和50奈米比重将各占50%,上月50奈米制程的1Gb容量DDR2产品已完成认证程序,2Gb容量DDR3产品则正在进行认证动作。
连日昌表示,南亚科2010年产能主要贡献,会从下半年开始大量增加,预计年底产出会较年初多200%,主要是制程微缩的贡献,真正新产能贡献不多。连日昌进一步表示,南亚科2009年完成沟槽式转堆叠式技术转换,2010年最大目标是完成50奈米制程转换。
针对旗下8寸晶圆厂是否要申请登陆,连日昌则表示,目前没有申请也没有规画,要登陆也要先找到目标。
再者,由于合作伙伴美光(Micron)日前购并NOR Flash恒忆(Numonyx),加上美光有NAND Flash技术,外界一直揣测南亚科是否有机会将产品线扩充至快闪存储器领域,连日昌则表示,目前没讨论此问题,要等时机到了再观察,况且美光也要尊重合作伙伴的意愿。
![](http://m.amcfsurvey.com/webstorage/images/2014/m/wx.png)
加入微信
获取电子行业最新资讯
搜索微信公众号:EEPW
或用微信扫描左侧二维码