电子产品世界

　　联华电子近日宣布，已顺利验证晶圆专工业界第一个结合12V解决方案的高压嵌入式闪存(eFlash)工艺。此工艺可将中大尺寸之触控IC所需的驱动高压，以及存放算法所需的eFlash，结合于同一颗高整合度的单芯片中，并且有效地改善信噪比(SNR)。与业界所提供的其它高压选项(例如18V、24V或32V)相比，此12V解决方案在信噪比与耗电之间，提供了绝佳的平衡。联华电子12V eFlash技术目前已于0.11微米与0.18微米工艺上提供给客户使用。

　　联华电子特殊技术处陈立哲资深处长表示，“联华电子建构了完整的技术平台，该平台包含了尖端技术与客户导向的特殊技术，并能充分满足客户广泛应用产品的需求。作为第一家推出整合eFlash工艺的12V至铝工艺A+平台之晶圆专工公司，让我们有能力掌握中大尺寸触控面板快速成长的市场契机。我们将与客户携手合作，协助其充分利用联华电子技术所带来的优势。”

　　联华电子现有0.18微米与0.11微米eFlash产品的成功经验，为此新的12V eFlash 平台的顺利推出，打下了稳固的基础，并可藉此协助客户在蓬勃发展的触控芯片市场中，加速产品上市时间，同时差异化其产品定位。联华电子现已大量出货eFlash晶圆，数家芯片设计公司也已经在其触控屏幕产品上，采用并且验证了联华电子的12V eFlash解决方案。

关键词：联华电子晶圆eFlash