- 摘 要：本文研究了P型保护环对双向可控硅（DDSCR）静电防护器件寄生电容的影响。在低压工艺下制备 了不带保护环的低压双向可控硅（LVDDSCR）和带保护环的低压双向可控硅（LVDDSCR_GR）器件，在 高压工艺下制备了不带保护环的高压双向可控硅（HVDDSCR）和带保护环的高压双向可控硅（HVDDSCR_ GR）器件。利用B1505A功率器件分析仪测试并讨论了器件的电容特性，同时利用传输线脉冲（TLP）测试仪 分析了它们的静电性能。结果表明，保护环的增加对器件静电防护能力无较大影响，但在1
- 关键字：202206双向可控硅保护环寄生电容传输线脉冲测试系统
- 基于0.18 μm双极CMOS-DMOS（BCD）工艺，研究并实现了一种阳极和阴极两侧均加入硅化物阻挡层（SAB）的可控硅（SCR）器件，可用于高压静电放电保护（ESD）。利用二维器件仿真平台和传输线脉冲测试系统（TLP），预测和验证了SAB层对可控硅性能的影响。测量结果表明，在不增加器件面积的情况下，通过增加SAB层，器件的维持电压（Vh）可以从3.03 V提高到15.03 V。与传统SCR器件相比，带有SAB层的SCR器件（SCR_SAB）具有更高的维持电压。
- 关键字：可控硅（SCR）硅化物阻挡层（SAB）仿真传输线脉冲测试系统（TLP）维持电压（Vh）202109
传输线脉冲测试系统介绍
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