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IR推出绝缘型Co-Pack封装NPT IGBT 提高变速电机驱动器性能

  • 功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT,它们采用TO-220全绝缘型封装 (Full-Pak),绝缘能力保证不低于2kV。新器件与IR新一代超快软恢复二极管组合封装,采用IR先进的薄硅片工艺制造。新工艺可增强电及热性能,有助降低传导损耗,却不增加开关损耗。全新IGBT是IR专为电机控制而设计的iMOTION集成设计平台系列的一部分。新器件的工作结温高达175°C,标准工作范围比同类产品高出20%。另外,它们
  • 关键字:IR封装

飞利浦推出SOT666/SS-Mini SMD封装的高性能低VCesa BISS晶体管

  • 日前,皇家飞利浦电子集团在创新性的低VCesa BISS晶体管产品系列中加入了非常重要的、性能大大提高的新成员,从而成为全球首个推出1612尺寸SOT666/SS-Mini封装BISS晶体管的半导体厂商。PBSS4240V和PBSS5240V的集电极电流高达2A,具有一流的性能,并在功能增强的同时,相对其他较为著名的SOT23 封装1A器件还节省了41%的PCB空间。PBSS4240V和PBSS5240V还提供极低的集电极-发射极电阻(RCEsat = 190 mW),由于产生热量更少,还可提高整体电路
  • 关键字:飞利浦封装

高效照相闪光灯电容充电器采用ThinSOT封装

  • 凌特公司(Linear Technology)宣布推出高效快速照相闪光灯电容充电器 LT3468。LT3468 是一个独立的解决方案,用于照相闪光灯电容充电,所需线路板面积最小,无需软件开发。LT3468 能迅速有效地给高压(一般为 320 V)照相闪光灯电容充电。这个器件既可用于数字相机,也可用于胶片相机,采用限流回扫拓扑结构。它可用 3.6V 电池在 4.6 秒内将一个 100uF 电容充到 320V。LT3468 具有受控的 1.4A 峰值电流,与标准回扫变压器配合使用,能以高于 80% 的效率对任
  • 关键字:凌特公司封装

飞兆半导体推出采用SC75 FLMP封装的低压MOSFET:占用电路板空间减少60%

  • 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型P沟道MOSFET器件FDJ129P,为便携设备电源管理带来综合的性能和节省空间优势,这些设备包括移动电话、PDA、便携音乐播放机、GPS接收装置、低压/低功率DC-DC转换器及数码相机等。FDJ129P在紧凑的SC75 FLMP(倒装引脚铸模封装)中结合了飞兆半导体的高性能 PowerTrench
  • 关键字:飞兆封装

环球仪器与CALCE合作增强封装与装配技术分析能力

  • 环球仪器公司 (Universal Instruments) 表面贴装技术(SMT)实验室已和马里兰大学CALCE电子产品及系统中心(EPSC)达成合作协议,共同针对封装及装配的可靠性和制造能力进行研究。研究内容将着重于无铅制造的互连可靠性和技巧方面。环球仪器SMT实验室George Westby解释道:“我们希望能够充分利用这一领域现有的全部研究基金。通过将我们的知识与CALCE的研究工作相结合,特别是在模制和仿真技术领域,我们期望能以更低的总成本和更快的速度,为客户制定新的解决方案。”CALCE的Mi
  • 关键字:环球仪器封装

2003年8月,英特尔宣布在成都建立封装和测试半导体产品的工厂

  •   2003年8月,英特尔宣布在四川省成都市投资建立封装和测试英特尔半导体产品的工厂。
  • 关键字:Intel封装测试

飞兆半导体光隔离误差放大器采用节省空间的SOIC封装误差范围低至0.5%

  • 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型FOD2742光隔离误差放大器,其误差范围低至0.5%和尺寸小的性能特点,使该产品成为精密电源和转换器设备的理想器件。FOD2742是飞兆光隔离误差放大器系列的第四款产品,其它三款产品包括FOD2712、FOD2711和FOD2741,为设计人员提供了参考电压、容差和封装尺寸的不同选择。元件编号 VREF 最佳容差 VISO 封装类型FOD2712 1.24V 1% 2.5kV SOICFOD2411 1.24V 1% 5.0kV
  • 关键字:飞兆封装

IR推出绝缘型Co-Pack封装NPT IGBT 提高变速电机驱动器性能

  • 功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT,它们采用TO-220全绝缘型封装 (Full-Pak),绝缘能力保证不低于2kV。新器件与IR新一代超快软恢复二极管组合封装,采用IR先进的薄硅片工艺制造。新工艺可增强电及热性能,有助降低传导损耗,却不增加开关损耗。全新IGBT是IR专为电机控制而设计的iMOTION集成设计平台系列的一部分。新器件的工作结温高达175°C,标准工作范围比同类产品高出20%。另外,它们
  • 关键字:IR封装

飞兆半导体全新8引脚逻辑器件封装MicroPak™ 8体积比US8减小60%

  • 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出MicroPak 8 新型8引脚芯片级无引脚封装,具备1、2和3位逻辑和开关功能。全新的TinyLogic
  • 关键字:飞兆封装

NS推出新型PBGA封装单芯片

  • 不久前,美国国家半导体公司(NS)宣布了采用塑胶球栅阵列(PBGA)封装的GeodeTMSCx200解决方案。内含有集成中央处理器;可执行多路转换操作的PCI/Sub-ISA接口;视频输入端口(VIP);低脚数(LPC)接口/通用输入输出(GPIO);AC97/AMC97 2.0修订版中频;ACPI 1.0控制器;3个通用串行总线(USB)端口;ATA-33接口;输入输出;电压输入为3.3V,输出为1.8V。典型功耗为1.8W(233MHz)及2.3W(300MHz), 423球型PBGA封装后的体积仅为
  • 关键字:NS封装

BGA封装技术及其返修工艺

  • 随着电子产品向小型化、便携化、网络化和高性能方向发展,对电路组装技术和I/O引线数提出了更高的要求,芯片体积越来越小,芯片引脚越来越多,给生产和返修带来困难。原来SMT中广泛使用的QFP(四边扁平封装),封装间距的极限尺寸停留在0.3mm,这种间距引线容易弯曲、变形或折断,相应地对SMT组装工艺、设备精度、焊接材料提出严格的要求,即使如此,组装小间距细引线的QFP,缺陷率仍相当高,最高可达6000ppm,使大范围应用受到制约。近年出现的BGA(Ball Grid Array 球栅阵列封装器件),由于芯
  • 关键字:封装

安捷伦公司推出微型表面贴封装GaAs射频芯片、肖特基和PIN二极管(3.2)

  •   为通信及生命科学领域提供创新技术的安捷伦科技公司(Agilent Technologies), 推出采用超小表面封装(MiniPak)的新型GaAs射频芯片及单管、对管系列肖特基二极管和PIN二极管。该封装高度仅为0.7毫米,面积为1.75平方毫米,具有寄生性小,高功耗热传导性高等特点。   针对手机和ISM频段的使用特点,超小封装(MiniPak)的尺寸比行业标准SC-70封装小60%。MGA-725M4型GaAs 射频芯片是一种带旁路开关的高性能低噪声放大器(LNA)。该型号分单管和对管两种类型
  • 关键字:安捷伦封装

采用 LLP 封装的 500 mA 低压降稳压器(2.10)

  • 美国国家半导体公司宣布推出一款功能齐备的500mA 低压降(LDO)稳压器,为个人计算机及便携式系统的中等电流量应用方案提供所需的低噪音电压转换功能。这款型号为 LP2989 的高精度微功率稳压器采用大小如芯片、并无脚的框架封装 (LLP),其小巧体积务求能安放在便携式产品微型设计的有限空间内。LLP 封装的大小只有 4.0 x 4.0 毫米 (mm),厚度只有 0.8 毫米,管脚间距只有 0.8 毫米。按照 θ j-a 的测量结果,这款芯片的功率消耗低至只有 78℃/W。LP29
  • 关键字:LLP封装封装

1995年6月,上海阿法泰克电子公司在上海浦东成立

  •   1995年6月,由中、泰、美三方合资的上海阿法泰克电子公司在上海浦东成立,这是国家重点工程“集成电路专项工程”的两大关键项目之一,主要从事集成电路的封装和测试。
  • 关键字:集成电路封装测试

1994年11月,英特尔位于上海的芯片测试和封装工厂破土动工

  •   1994年11月,英特尔位于上海的芯片测试和封装工厂破土动工。
  • 关键字:Intel测试封装
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封装介绍

程序  封装 (encapsulation)   隐藏对象的属性和实现细节,仅对外公开接口,控制在程序中属性的读和修改的访问级别.   封装 (encapsulation)   封装就是将抽象得到的数据和行为(或功能)相结合,形成一个有机的整体,也就是将数据与操作数据的源代码进行有机的结合,形成“类”,其中数据和函数都是类的成员。   封装的目的是增强安全性和简化编程,使用者不必了解具体的 [ 查看详细]
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