- 本文以比较器为基本电路，采用恒流源充放电技术，设计了一种基于1.0mu;m CMOS工艺的锯齿波振荡电路，并对其各单元组成电路的设计进行了阐述。同时利用Cadence Hspice仿真工具对电路进行了仿真模拟，结果表明，锯齿波
- 关键字：CMOS1.0工艺锯齿波
- 1 概述TLC5510是美国TI公司生产的新型模数转换器件(ADC)，它是一种采用CMOS工艺制造的8位高阻抗并行A/D芯片，能提供的最小采样率为20MSPS。由于TLC5510采用了半闪速结构及CMOS工艺，因而大大减少了器件中比较器的数
- 关键字：CMOS5510TLC工艺
- 1 引言 作为连接设计和制造的桥梁和纽带，CAPP不仅是制造企业准备工作的首要步骤，而且是企业各部门信急交汇的重要环节。由于CAPP在CIMS中的地位和作用，工艺规划的自动生成(也即智能工艺设计)被视为生产自动化中
- 关键字：系统介绍设计工艺实例智能基于
- 1 引言 本文在传统锁相环结构的基础上进行改进，设计了一款用于多路输出时钟缓冲器中的锁相环，其主 要结构包括分频器、鉴频鉴相器(PFD)、电荷泵、环路滤波器和压控振荡器(VCO)。在鉴相器前采用预 分频结构减小时
- 关键字：CSMCPLL工艺零延时
- 目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术，美国CREE公司垄断了SiC衬底上 GaN基LED专利技术。因此，研发其他衬底上的GaN基LED生产技术成为国际上的一个热点。南昌大学与厦门华联电子有限公司合作承担了国
- 关键字：工艺分析制造主要芯片简介LED
- 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)宣布提供针对公司High-Q™集成无源器件(IPD)工艺的完整从前到后工序工艺设计套件(PDK)。这PDK开发是为了配合安捷伦科技的先进设计系统(ADS) 2011电子设计辅助(EDA)软件一起使用，使安森美半导体及安捷伦科技的客户能够充分利用业界最全面射频(RF)及微波设计平台的优势。
- 关键字：安森美无源器件工艺
- 每逢夜幕降临，街市上华灯初亮，而独树一枝的五彩霓虹灯显得格外亮丽醒目，它将宾馆、大厦、商场及娱乐城装饰得多姿多彩。然而这种传统的霓虹灯制作工艺复杂，造价成本高、耗电惊人，维修难又容易遭破损等问题。新型
- 关键字：工艺制作霓虹灯新型
- 摘要：为了提高数字集成电路芯片的驱动能力，采用优化比例因子的等比缓冲器链方法，通过Hspice软件仿真和版图设计测试，提出了一种基于CSMC 2P2M 0．6mu;m CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的电原理
- 关键字：输出缓冲电路设计芯片数字工艺多功能CMOS
- 模具的型芯和型腔往往具有各种自由曲面，非常适合在数控机床上进行加工。数控加工的工艺与普通加工工艺有较大区别。本文结合儿童产品装饰物的模具型芯的数控加工工艺设计，分析和总结了模具数控加工的工艺特点，为模
- 关键字：模具型芯工艺数控加工
- 集成电路，即integrated circuit，这是一种微型电子器件或部件，按功能可划分为数字和模拟两大类。而模拟集成电路一般用于模拟信号的产生和处理，有很多种种类，比如集成运算放大器、集成锁相环、集成功率放大器、集
- 关键字：CMOS工艺放大器设计集成运算
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
- 关键字：聚四氟乙烯微波板工艺多层化
- 近年来，有关将CMOS工艺在射频（RF）技术中应用的可能性的研究大量增多。深亚微米技术允许CMOS电路的工作频率超过1GHz，这无疑推动了集成CMOS射频电路的发展。目前，几个研究组已利用标准的CMOS工艺开发出高性能的下
- 关键字：集成电路设计RF工艺CMOS基于
- 一、生产工艺1.工艺：a)清洗：采用超声波清洗pcb或LED支架，并烘干。b)装架：在LED管芯（大圆片）底部电极备上银胶后进行扩张，将扩张后的管芯（大圆片）安置在刺晶台上，在显微镜下用刺晶笔将管芯一个一个安装在PCB
- 关键字：技术封装工艺生产LED
- 摘要：数字集成电路的不断发展和制造工艺的不断进步，使得物理设计面临着越来越多的挑战。特征尺寸的减小，使得后端设计过程中解决信号完整性问题是越来越重要。互连线间的串扰就是其中的一个，所以在后端设计的流程
- 关键字：设计信号预防物理IC65nm工艺数字基于
- 在现代电子系统设计中，由于可编程逻辑器件的卓越性能、灵活方便的可升级特性，而得到了广泛的应用。由于大规模高密度可编程逻辑器件多采用SRAM工艺，要求每次上电，对FPGA器件进行重配置，这就使得可以通过监视配置
- 关键字：方法介绍加密FPGASRAM工艺基于
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