半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装，TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能，并具有更好的稳定性。由于采用了级联结构并优化了器件相关参数，Nexperia的氮化镓场效应管无需复杂的驱动和控制，应用设计大为简化；使用标准的硅MOSFET 驱动器也可以很容易地驱动它们。 新的氮化镓技术采用了贯穿外延层的过孔，减少了缺陷并且芯片尺寸可缩小约24%。TO-247
关键字：Nexperia 650V 氮化镓 GaN
近期氮化镓充电器市场竞争非常激烈，众多知名品牌纷纷加入战场，最近我们拿到了RAVPOWER的61W和65W两款氮化镓充电器。其中，RAVPOWER 61W氮化镓充电器采用典型的方正圆角机身搭配可折叠插脚设计，非常便携。产品具备齐全的电压档位，能够很好的满足手机和笔记本的快充需求。下面我们就和小伙伴分享这款充电器的拆解，看看其用料做工如何。一、RAVPOWER 61W氮化镓充电器外观RAVPOWER这款61W氮化镓充电器采用圆角方正造型设计，机身正背面微微弧面凸起，再搭配上可折叠插脚，让产品显得非常小巧，携
关键字：氮化镓 快充
日前，高新区管委会与位于台湾的欣忆电子股份有限公司通过视频连线召开海峡两岸项目推进会，就第三代半导体六英寸氮化镓项目推进开展“云洽谈”。这个亚太地区半导体设备商的领头羊即将把16亿元的项目放到漓东这片热土上。
关键字：氮化镓 半导体 广西桂林
近日，氮化镓射频及功率器件项目桩基开工。这个项目总投资25亿元，占地111.35亩，分两期实施，全部达产后预计实现年销售30亿元以上，可进一步推动嘉兴集成电路新一代半导体产业。
关键字：氮化镓 嘉兴 射频
半导体行业在摩尔定律的“魔咒”下已经狂奔了50多年，随着半导体工艺的特征尺寸日益逼近理论极限，摩尔定律对半导体行业的加速度已经明显放缓。除了进一步发展在摩尔定律下的制造工艺外，寻找硅（Si）以外新一代的半导体材料，也就成了一个重要方向。在这个过程中，氮化镓（GaN）近年来作为一个高频词汇，进入了人们的视野。GaN是一种新型的半导体材料，中文名为氮化镓，英文名称是 Gallium nitride。它是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（Direct Bandgap）的半导体，也是一种宽禁带半导体材料。与碳化硅（
关键字：半导体材料 氮化镓 充电
提起康佳这个品牌,相信很多人第一印象都会想到电视机。不过近些年由于市场竞争的家居,康佳电视的风光程度也大不如从前。不过康佳也早有未雨绸缪,从家电行业转进半导体芯片市场的不止格力电器一家,康佳公司这两年也开始布局芯片市场。并且成果渐显,首款存储芯片实现量产引发多方关注。康佳入场芯片领域康佳集团于1992年上市,曾是中国彩电和手机行业的龙头公司,拥有消费多媒体、移动通信、信息网络和相关配套器件等产业板块。2018年5月,康佳宣布由家电企业转型为以科技创新驱动的投资平台,同时成立了半导体科技事业部,正式进军芯片
关键字：氮化镓
加快先进功率氮化镓解决方案的开发和上市；充分利用意法半导体的汽车市场专业知识和台积电的世界领先的制造技术；改进宽带隙产品的能效，使功率转换应用获得更高能效。
关键字：ST TSMC 氮化镓
美国加利福尼亚州圣何塞，2019年7月25日讯– 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日发布InnoSwitch™3系列恒压/恒流离线反激式开关电源IC的新成员。新IC可在整个负载范围内提供95%的高效率，并且在密闭适配器内不使用散热片的情况下可提供100 W的功率输出。这一突破性的性能提升源自内部开发的高压氮化镓开关技术。准谐振模式的InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-Pro I
关键字：Power Integrations 氮化镓 InnoSwitch3 AC-DC变换器IC
据业内人士透露，作为芜湖大院大所合作的重点项目，国产化5G通信芯片用最新一代碳化硅衬底氮化镓材料试制成功，打破国外垄断。这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片，有望用上国产材料。
关键字：碳化硅 氮化镓 5G
在现实世界中，没有人可以和“半导体”撇清关系。虽然这个概念听上去可能显得有些冰冷，但是你每天用的电脑，手机以及电视等等，都会用到半导体元件。半导体的重要性自不必说，今天我们来说一下半导体产业中一个很关键的组成部分，那就是半导体材料。
关键字：碳化硅 氮化镓
第三代半导体材料技术正在成为抢占下一代信息技术、节能减排及国防安全制高点的最佳途径之一，是战略性新兴产业的重要组成内容。
关键字：半导体 氮化镓 碳化硅
英飞凌科技股份公司携氮化镓(GaN)解决方案CoolGaN™ 600 V增强型HEMT和氮化镓开关管专用驱动IC(GaN EiceDRIVER™ IC)，精彩亮相2018年德国慕尼黑电子展。英飞凌展示了其产品的优越性：它们具备更高功率密度，可实现更加小巧、轻便的设计，从而降低系统总成本和运行成本，以及减少资本支出。随着CoolGaN 600 V增强型HEMT和GaN EiceDRIVER栅极驱动IC的推出，目前，英飞凌是市场上唯一一家提供涵盖硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的全系列
关键字：英飞凌 氮化镓
将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。
关键字：氮化镓 TI 集成驱动器
我经常感到奇怪，我们的行业为什么不在加快氮化镓 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度;毕竟，大潮之下，没人能独善其身。每年，我们都看到市场
关键字：氮化镓 可靠运行
氮化镓介绍
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