作为提供不间断连接的关键，许多数据中心依赖于日益流行的半导体技术来提高能效和功率密度。 氮化镓技术，通常称为 GaN，是一种宽带隙半导体材料，越来越多地用于高电压应用。这些应用需要具有更大功率密度、更高能效、更高开关频率、更出色热管理和更小尺寸的电源。除了数据中心，这些应用还包括 HVAC 系统、通信电源、光伏逆变器和笔记本电脑充电电源。 了解 GaN 如何突破功率密度和效率界限 德州仪器 GaN 产品线负责人 David Snook 表示：“氮化镓是提高功率密
关键字：氮化镓 GaN 电源管理
家用汽车早已迈入电气时代，现如今汽车上的电器设备越来越多，汽车电源系统除了给发动机启动电机、灯光、电动助力转向等部件供电用电之外，还要满足如多媒体影音系统、倒车雷达、手机充电、行车记录仪、GPS导航仪等设备的用电要求。汽车电源系统一般是由发电机和蓄电池共同组成。早在汽车发展初期，电气系统并未引入汽车产品，随后因起动机的应用普及，汽车开始装备了蓄电池，当时的电压标准是6V。由于各类汽车电气化设备得到大量应用6V系统所能提供的功率太低，无法满足更多的“用电需求”，车载标准电压就从6V提升到了12V。12V电压
关键字：PI 工业 新能源汽车 氮化镓 功率开关
前10年一直在消费电子领域冲浪的氮化镓（GaN）技术不断创新发展，近两年来逐渐在汽车、数据通信以及其他工业应用等行业崭露头角。氮化镓应用不断扩充消费领域一直是原始设备制造商（OEM）采用GaN的主要驱动力，其中电力设备市场为主流市场，快速充电器为主要应用，此外还包括一些音频设备等。借助GaN，智能手机制造商可以制造尺寸更小且性价比更高的充电器。目前市场上大多数基于GaN的充电器都在65W左右或以下，业界表示这是性价比的“最佳点”。但是，随着市场对于更高功率的需求，智能手机快速充电器的目标功率高于75的新趋
关键字：汽车 工业 氮化镓
松下与英飞凌曾共同研发了增强型GaN GIT功率器件，两家公司都具有GaN GIT功率器件的产品。对于其栅极驱动IC，如上期所介绍的，英飞凌对其GaN EiceDRIVER™ IC已布局有核心专利；而松下在这一技术方向下也是申请了不少专利，其中就包括采用RC电路的负压关断方案。松下与英飞凌曾共同研发了增强型GaN GIT功率器件，两家公司都具有GaN GIT功率器件的产品。对于其栅极驱动IC，如上期所介绍的，英飞凌对其GaN EiceDRIVER™ IC已布局有核心专利；而松下在这一技术方向下也是申请了不
关键字：氮化镓 松下
Transphorm拓展中国区业务,扩大氮化镓应用实验室大中华区新增办事处提升服务亚太区域电力电子客户的能力 加州戈利塔—2022年12月1 日--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm, Inc. 宣布在中国深圳开设新的办事处。作为一家外商独资企业(WFOE)，Transphorm的深圳办事处将负责加强当地客户支持、销售和市场营销工作，另外，该办事处将作为当地支持客户开发氮化镓电源系统的应用实验室，并同时支持全球研发工作。深圳办事处将由Transphorm
关键字：Transphorm 氮化镓
加州戈利塔—2022年12月1 日--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布在中国深圳开设新的办事处。作为一家外商独资企业(WFOE)，Transphorm的深圳办事处将负责加强当地客户支持、销售和市场营销工作，另外，该办事处将作为当地支持客户开发氮化镓电源系统的应用实验室，并同时支持全球研发工作。深圳办事处将由Transphorm现任亚洲销售副总裁Kenny Yim管理，他同时也担任中国区总经理一职。Trans
关键字：Transphorm 氮化镓
未来已来，氮化镓的社会经济价值加速到来。 本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓方面的技术合作方案。 镓未来提供的紧凑级联型氮化镓器件与纳芯微隔离驱动器配合，隔离驱动器保证了异常工作情况下对氮化镓器件的有效保护，完美展现了氮化镓在先进应用中高效率低损耗的核心价值，让工程师放心无忧采用氮化镓。 普通消费者了解并接受氮化镓，是从2018年氮化镓PD快充开始的。凭借氮化镓卓越的开关特性，可以高频工作，实现高转换效率，氮化镓PD快充成功实现了小型化和轻量化，消费者易于携带，用户体验大幅度提升。在过去
关键字：氮化镓 纳芯微 隔离驱动器
德国时间2022年11月15日，Power Integrations亮相德国慕尼黑电子展，并推出了新款可编程、小巧及高效的零电压开关电源IC——InnoSwitch4-Pro产品系列。了解PI产品的读者肯定会记得，在上一代系列产品InnoSwitch3-Pro中，输出功率为65W，适用于包括USB功率传输(PD)3.0 + PPS、Quick Charge 4/4+、AFC、VOOC、SCP、FCP，以及其他工业和消费类电池充电器、可调光LED镇流器驱
关键字：德国慕尼黑电子展 开关电源IC 氮化镓 InnoSwitch4-Pro
11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半导体国际论坛2022”在上海国际会议中心成功举办。共有19位来自功率及化合物半导体产业链领先企业的讲师亲临现场做报告分享。此次论坛重点讨论的主题包括：开幕演讲，化合物半导体与光电及通讯，宽禁带半导体及新型功率器件。SEMI全球副总裁、中国区总裁居龙先生为此次论坛致欢迎词。居龙表示：“在大家的支持下，功率及化合物半导体国际论坛从2016年开始首办，今年已经是第七届。在严格遵守防疫规定的前提下，希望大家能在SEMI的平台上充分交流。不经历风雨，怎么能
关键字：碳化硅 氮化镓 InP
宜普电源转换公司(EPC)推出150 V、6 mΩ EPC2308 GaN FET，让高功率密度应用实现更高的性能和更小的解决方案，包括DC/DC转换、AC/DC SMPS和充电器、太阳能优化器和微型逆变器，以及电机驱动器。 EPC 是增强型氮化镓(eGaN®)功率FET和 IC 领域的全球领导者，新推采用更耐热的QFN封装且可立即发货的150 V EPC2308氮化镓器件，用于电动工具和机器人的电机驱动器、用于工业应用的80 V/100 V高功率密度DC/DC转换器、用于充电器、适配器和电源供
关键字：EPC 氮化镓 高功率密度
前言 最近充电头网拿到了一款基于能华CE65H160TOAI氮化镓功率器件的65W笔电适配器方案样品，该方案是为配合工信部国产替代政策而设计。 该方案采用奶白色的外壳，方形，给人简约时尚感觉；其内部采用卡扣散热设计方案，装配紧凑牢固、安装方式简单，免除其它散热方案所需要的生产夹具，降低生产成本，利于规模化的生产制造；再加上能华的低热阻封装TO-220的CoreGaN产品，使得系统的热可靠性大为提高，已经通过了环温40°下的严苛可靠性测试。下面就随小编来详细了解该方案。 能华65W快充外观 能华
关键字：拆解 笔电 充电器 氮化镓
NCP1345是次世代高度集成的准共振Flyback, 适用于设计高性能电源转换器为了单纯adapter 或 adapter with USB-PD (type−C or type-A) , 或 openframe 等电源转换器, 包括双 VCC 架构, 允许直接连接到辅助绕组, 以进行简化 VCC 管理零件计数减少并增加性能。CP1345 还具有精确的基于主要一次侧的输出限制电路，以确保恒定输出电流限制,无论设计输出电压或输出功率如何。准共振 (QR）专有波谷锁定电路，以确保稳定的波谷切换,当下降到第6
关键字：onsemi 电源转换 NCP1345 氮化镓
现阶段硅元件的切换频率极限约为65~95kHz，工作频率再往上升，将会导致硅MOSFET耗损、切换损失变大；再者Qg的大小也会影响关断速度，而硅元件也无法再提升。因此开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体GaN氮化镓和SiC碳化硅功率电晶体，虽然它们比硅更难制造及更昂贵，但也具有独特的优势和优越的特性，使得这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以帮助下一个产品设计做出更适合的决定。 GaN氮化镓是最接近理想的半导体开关的器
关键字：GaN 氮化镓 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi
硅材料制作的功率器件，也被称为第一代半导体，而砷化镓（GaAs）等材料制作的功率器件，则被成为第二代半导体，第二代半导体在高频性能上优于硅器件，通常用于射频应用。氮化镓（GaN）或碳化硅（SiC）器件也被成为第三代半导体，其禁带宽度约是硅器件的3倍，击穿场强约是硅器件的10倍，因而具有更高的耐压能力以及更低的导通压降，转换效率高，也更适应高温工作环境。与硅材料和SiC相比，GaN材料电子饱和漂移速率更高，适合高频率应用场景，因而在电力电子应用中，GaN器件可以在MHz以上频率工作，大大减小了对外围电路中电
关键字：贸泽电子 快充技术 氮化镓
氮化镓介绍
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