- 美国罗伦斯柏克莱国家实验室的科学家开发出一种新的化学组装方法，能够实现仅有原子厚度的电晶体与电路，从而为下一代电子与电脑运算技术铺路。 美国能源部罗伦斯柏克莱国家实验室(Berkeley Lab)开发出一种结合采用2D石墨烯材料和二硫化钼(MoS2)电晶体的组装方法。 该方法在以石墨烯衬底的二氧化矽基板上蚀刻窄通道，接着再以过渡金属二硫属化物(TMDC)或更具体的是MoS2。这两种材料均为只有一原子层的2D结构。这种合成方法能够覆盖几平方公分大小的区域，从而开启了在晶圆厂以晶圆实现商用规模
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- 半导体的制造工艺已经是14nm，10nm工艺延后，半导体业界黄金法则摩尔定律已受质疑，不过Intel祭出法宝：量子井场效电晶体、铟镓砷及应变锗两种新型半导体材料将会使摩尔定律持续下去。
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- 过去二十几年来，IBM已经为制作1.4nm的微型碳奈米管尝试过几乎每一种可能性了，期望能找到延续矽电晶体通道的方法。时至今日，最小的矽电晶体已经达到原子极限了——例如，4nm矽电晶体通道约由20个原子组成。为了进展到下一个矽晶世代，除了各种缺陷和掺杂不均的问题以外，业界还面临着矽电晶体尺寸进一步缩小的挑战。如果IBM或其他厂商——事实上，中国现正主导碳奈米管的研究——能够实现最佳化的1.4nm电晶体通道，那么摩尔定律(Moore&
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- 日经新闻26日报导，日本山形大学时任静士等教授已成功研发出一套可藉由印刷的方式来制造OLED面板驱动元件( 电晶体 )的新技术。报导指出，藉由利用该新技术，则只要结合作为发光体的有机化合物和塑胶制面板，则OLED面板也可利用印刷技术进行量产，如此一来可将OLED面板的制造成本降至现行的1/10。据报导，该项新技术将于今(26)日在横滨市举行的日本化学会上发表，之后并计划于5年后完成试作品。 报导指出，目前已开始应用于大尺寸电视的OLED面板主要采用矽制电晶体，且在制造电极时需使用高温，故需花费大
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- Intel透露今年预计推出的Ivy Bridge将采用全新22nm的3D硅晶体技术，并且在接下来将进展到14nm，乃至于之后于2016年间也预计推出采用11nm制程的 “Skymont”平台。而看起来IBM也将不甘落后，目前官方宣布已经发展低于10nm以下的9nm制程电晶体技术，并以碳元素为主要材质。
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电晶体介绍
电晶体是现代电子电路的核心元件，主要功能是做电流的开关。和一般机械开关的区别在于电晶体是利用电信号来控制的，开关速度非常快，可以达到100GHz以上。 双极性截面电晶体是利用两个很接近的pn截面，电信号控制其中一个截面的注入载体，另一个截面收集载体，而载体形成的电流远比控制信号的电流大，所以有所谓的电流增益。 场效应电晶体则是控制信号造成的载体通道附近电厂改变，使通道特性发生变化，导致电流 [
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