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碳化硅文章进入碳化硅技术社区

罗姆SiC评估板测评：快充测试

一、测试工装准备1、P02SCT3040KR-EVK-001测试板2、电压源3、示波器4、负载仪二、测试项目进行1、安装 SIC后的空载波形SiC安装空载波形空板，空载GS 为100hz 25V 信号2、DCDC 在线测试1）空载测试驱动空载输出12V，gs驱动为200hz总宽度3.6uS的锥形信号2）加载 24转55V 2A dcdc驱动信号波形如下：带载 6.6k 15V驱动信号单脉冲宽度，3uS左右总结由于轻负载，温度始终未超过50度。开关速度方面优于硅基产品，以后有对应设备
关键字：SiC 碳化硅 MOSFET ROHM

罗姆SiC评估板测评：射频热凝控制仪测试

测试设备①直流电源由于手上没有高电压的直流电源，只能使用一般的电源，且手上只有一个低压直流稳压源，所以这稳压电源既用于给开发板电源供电，又用于半桥母线电源。②电子负载半桥电源电源的输出负载，可恒流或者恒压或者恒负载，测试电源的带载能力非常好用。③信号发生器产生不同频率的可调制的方波信号，用于MOS管的驱动④示波器观察驱动信号、输出信号、MOS管的波形⑤万用表测量各测试点的电压⑥温度巡检仪测量带载后MOS管的温度测试拓扑将说明书中电路按照上述描述修改：两个直流电源换成CBB电容，在Hvdc母线上加上12V电
关键字：SiC 碳化硅 MOSFET ROHM

罗姆SiC评估板测评：基于碲化镉弱光发电玻璃的高效功率变换技术研究

感谢ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001评估板，有幸参与评估板的测试。拿到评估板的第一感觉就是扎实，评估板四层PCB的板子厚度达到了30mm；高压区域也有明显的标识。
关键字：SiC 碳化硅 MOSFET ROHM

SiC MOSFET的桥式结构解析

本文将对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍。
关键字：SiC 碳化硅 MOSFET

碳化硅MOSFET晶体管的特征

功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。
关键字：SiC 碳化硅 MOSFET

SiC-SBD与Si-PND的正向电压比较

本文对二极管最基本的特性–正向电压VF特性的区别进行说明。
关键字：SiC 碳化硅 SBD

SiC-SBD与Si-PND的反向恢复特性比较

反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数，所以不仅要比较trr的数值，还要理解其波形和温度特性，这样有助于有效使用二极管。
关键字：SiC 碳化硅 SBD

SiC肖特基势垒二极管的特征，及与Si二极管的比较

继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。
关键字：碳化硅 SiC SBD 肖基特二极管

SiC功率元器件的开发背景和优点

SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。
关键字：SiC 碳化硅

什么是碳化硅？SiC的特性和特征

碳化硅（SiC）是比较新的半导体材料。本文来了解一下它的物理特性和特征。
关键字：SiC 碳化硅

ST先进SiC牵引电机逆变器解决方案

意法半导体（ST）作为全球领先的汽车半导体供应商之一，多年前就开始布局新能源汽车领域，在2019年正式成立新能源车技术创新中心，推出了SiC牵引电机逆变器的整体解决方案。该方案按照功能安全IS026262标准流程开发，满足ASIL D等级。基于AutoSAR的软件架构和模型化的软件算法，为客户前期方案评估和后续开发提供了便利，大大缩短了整个研发周期。
关键字：SiC 碳化硅牵引逆变器

ST第三代碳化硅技术问世瞄准汽车与工业市场应用

电源与能源管理对人类社会未来的永续发展至关重要。意法半导体汽车和离散组件产品部（ADG）执行副总裁暨功率晶体管事业部总经理Edoardo MERLI说明，从图二可以看到由于全球能源需求正在不断成长，我们必须控制碳排放，并将气温上升控制在1.5度以下，减排对此非常重要，但要实现这些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST对此也有制定一些具体的目标。图二图三显示的是一些关于如何利用电力科技实现各种节能目标的具体数据，图中是对全球电力消耗状况的统计。仅就工业领域来说，如果能将电力利用效率提升1%，
关键字：ST 碳化硅汽车工业 SiC

跻身第三代半导体市场 ST助力全球碳中和

　　随着第三代半导体的工艺越来越成熟和稳定，应用在工业和电动汽车上的产品也变得多样化。作为半导体行业中的佼佼者，意法半导体同样重视第三代半导体带来的优势作用，推出了有关氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的一系列产品，有力地推动了第三代半导体在电动汽车和工业领域上的应用发展。2022年2月意法半导体召开媒体交流会，介绍了意法半导体在全球碳中和理念的背景下，如何通过创新技术和推出新的产品系列，为世界控制碳排放做出贡献。　　据调查，工业领域中将电力利用效率提升1%，就能节约95.6亿千瓦时的能源。这意味着节约了
关键字：意法半导体 ST 碳化硅氮化镓 202203

Power Integrations推出业界首款内部集成1700V SiC MOSFET的汽车级高压开关IC

InnoSwitch3产品系列阵容再度扩大，新器件不仅能显著减少元件数量，还可大幅提高电动汽车和工业应用的效率
关键字：InnoSwitch™3-AQ 碳化硅 MOSFET 电动汽车牵引逆变器

三安集成：碳化硅车规产品“上车”，湖南基地实现规模交付

新年第一个月，中国首条碳化硅全产业链垂直整合制造平台 -- 湖南三安“喜提”多个好消息。长沙制造碳化硅二极管量产出货并顺利通过客户验证，车规级二极管接连获得汽车行业客户订单。新能源汽车迎来“碳化硅元年”，湖南三安驶入发展快车道在化石燃料资源和环境问题面前，各国都发布了“双碳”计划。欧盟各国决定在2040-2060年间彻底禁止燃油车，拜登政府也计划拿出超过600亿美元用于推动家用车和公交车的电动化，日本则是通过提高行业燃油经济性标准以促进新能源车普及。碳化硅功率器件以其出色的能源转换效率，在充电桩、车载充电
关键字：三安集成碳化硅车规产品

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碳化硅介绍

碳化硅（SiC）为由硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。制造由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。最简单的方法是将氧化硅砂与碳置入艾其逊电弧炉中，以1600至2500°C高温加热。发现爱德华·古德里希·艾其逊在1893年制造出此化合物，并发展了生产碳化硅用之艾其逊电弧炉，至今此技术仍为众人使用中。性质碳化硅至少有70种 [ 查看详细]