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碳化硅文章进入碳化硅技术社区

Qorvo® 与 SK Siltron CSS 宣布达成长期碳化硅供应协议

中国北京 – 2022 年 11 月 8 日–移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）与半导体晶圆制造商 SK Siltron CSS 今日宣布，双方已签署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供应协议。此次合作将提高半导体供应链的弹性，并更好地满足汽车市场对先进碳化硅解决方案迅速增长的需求。随着客户采用 Qorvo 业界领先的第 4 代 SiC FET 解决方案，该协议还会为他们提供更好的保护并增强其信心。SiC 器件
关键字：Qorvo SK Siltron CSS 碳化硅

SEMICON China | 探讨热点与前沿技术，功率及化合物半导体论坛2022圆满举办

11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半导体国际论坛2022”在上海国际会议中心成功举办。共有19位来自功率及化合物半导体产业链领先企业的讲师亲临现场做报告分享。此次论坛重点讨论的主题包括：开幕演讲，化合物半导体与光电及通讯，宽禁带半导体及新型功率器件。SEMI全球副总裁、中国区总裁居龙先生为此次论坛致欢迎词。居龙表示：“在大家的支持下，功率及化合物半导体国际论坛从2016年开始首办，今年已经是第七届。在严格遵守防疫规定的前提下，希望大家能在SEMI的平台上充分交流。不经历风雨，怎么能
关键字：碳化硅氮化镓 InP

捷豹路虎与 Wolfspeed 合作，为下一代电动汽车引入碳化硅半导体技术

· 在“重塑未来”战略指引下，捷豹路虎正在向电动化优先转型，全力开启未来出行之路，在 2039 年实现净零碳排放· 与 Wolfspeed 的战略合作将确保碳化硅（SiC）半导体技术的供应，并成为下一代路虎∙揽胜、路虎∙发现、路虎∙卫士、捷豹汽车电动化的重要组成部分· &
关键字：捷豹路虎 Wolfspeed 电动汽车碳化硅

碳化硅（SiC）电源管理解决方案搭配可配置数字栅极驱动技术助力实现“万物电气化”

绿色倡议持续推动工业、航空航天和国防应用，尤其是运输行业的电力电子系统设计转型。碳化硅（SiC）是引领这一趋势的核心技术，可提供多种新功能不断推动各种车辆和飞机实现电气化，从而减少温室气体（GHG）排放。碳化硅解决方案支持以更小、更轻和更高效的电气方案取代飞机的气动和液压系统，为机载交流发电机、执行机构和辅助动力装置（APU）供电。这类解决方案还可以减少这些系统的维护需求。但是，SiC技术最显著的贡献体现在其所肩负实现商用运输车辆电气化的使命上，这些车辆是世界上最大的GHG排放源之一。随着1700V金属
关键字：碳化硅 SiC 电源管理可配置数字栅极驱动万物电气化

世平安森美推出新一代GaN氮化镓/SiC碳化硅MOSFET高压隔离驱动器NCP51561 应用于高频小型化工业电源

现阶段硅元件的切换频率极限约为65~95kHz，工作频率再往上升，将会导致硅MOSFET耗损、切换损失变大；再者Qg的大小也会影响关断速度，而硅元件也无法再提升。因此开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体GaN氮化镓和SiC碳化硅功率电晶体，虽然它们比硅更难制造及更昂贵，但也具有独特的优势和优越的特性，使得这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以帮助下一个产品设计做出更适合的决定。 GaN氮化镓是最接近理想的半导体开关的器
关键字：GaN 氮化镓 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi

电动汽车东风起，Wolfspeed、安森美等头部大厂碳化硅投资加速

碳化硅的发展与电动汽车的快速发展紧密相连，随着新能源汽车的加速渗透，以及自动驾驶技术的升级演变，车用芯片需求不断上升，第三代半导体碳化硅技术重要性愈发凸显。Wolfspeed、安森美、意法半导体作为碳化硅领域的头部企业，其动态是行业的重要风向标，近期三家企业均发表了对碳化硅行业的积极展望，反映车规级碳化硅产品的渗透率情况好于预期。Wolfspeed将建造全球最大碳化硅材料工厂近日，碳化硅厂商Wolfspeed公司表示，随着需求的激增，其将在北卡罗来纳州查塔姆县建造一座价值数十亿美元的新工厂，以生产为电动汽
关键字：碳化硅电源管理芯片

第三代半导体头部企业基本半导体完成C4轮融资,全力加速产业化进程

2022年9月20日，国内第三代半导体碳化硅头部企业——基本半导体完成C4轮融资，由新股东德载厚资本、国华投资、新高地等机构联合投资，现有股东屹唐长厚、中美绿色基金等机构继续追加投资。本轮融资将用于进一步加强碳化硅产业链关键环节的研发制造能力，提升产能规模，支撑碳化硅产品在新能源汽车、光伏储能等市场的大规模应用，全方位提升基本半导体在碳化硅功率半导体行业的核心竞争力。这是基本半导体在今年完成的又一轮融资。6月和7月，该公司分别完成了C2和C3轮两轮融资。连续多轮资本的加持，充分印证了基本半导体在业务加速拓
关键字：基本半导体代半导体碳化硅

第三代半导体扩产，硅的时代要结束了吗

半导体寒气袭人知谁暖？芯片行业的砍单潮已经将寒气传递给了众多企业，三星半导体部门负责人Kyung Kye-hyun就预计芯片销售大幅下滑态势将延续至明年；野村证券最近也将今年全球芯片出货成长率由原先预估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%扩大至衰退6%；费城半导体指数 (SOX)近6个月（截至9月21日）更是跌了26.53%。但此时，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料却在迎来市场倍增与产能扩张。安森美二季度财报发布后，就将其2022年碳化硅营收预期上调为“同比增长3倍”，而
关键字：碳化硅氮化镓

功率半导体组件的主流争霸战

功率半导体组件与电源、电力控制应用有关，特点是功率大、速度快，有助提高能源转换效率，多年来，功率半导体以硅（Si）为基础的芯片设计架构成为主流，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三类半导体材料出现，让功率半导体组件的应用更为多元，效率更高。MOSFET与IGBT双主流各有痛点高功率组件应用研发联盟秘书长林若蓁博士（现职为台湾经济研究院研究一所副所长）指出，功率半导体组件是电源及电力控制应用的核心，具有降低导通电阻、提升电力转换效率等功用，其中又以MOSFET（金属氧化半导体场效晶体管）与IGBT（绝缘
关键字：硅碳化硅氮化镓功率半导体

碳化硅助力电动汽车的续航和成本全方位优化

与传统的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的耐高温、高频和耐高压性能，已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件。此外，SiC 让设计人员能够减少元器件的使用，从而进一步降低了设计的复杂程度。SiC 元器件的低导通电阻特性有助于显著降低设备的能耗，从而有助于设计出能够减少 CO2 排放量的环保型产品和系统。罗姆在 SiC 功率元器件和模块的开发领域处于先进地位，这些器件和模块在许多行业的应用中都实现了更佳的节能效果。水原德健, 罗姆半导体（北京）有限公司技术中心总经理
关键字：202207 碳化硅电动汽车罗姆

碳化硅助力电动汽车续航和成本的全方位优化

受访人：水原德健罗姆半导体（北京）有限公司技术中心总经理1.氮化镓和碳化硅同属第三代半导体，在材料特性上有什么相似之处和不同之处？根据其不同的特性，分别适用在哪些应用领域？贵公司目前在SiC和GaN两种材料的半导体器件方面都有哪些主要的产品？　　目前，市场上基本按下图划分几种材料功率半导体器件的应用场景。当低频、高压的情况下适用硅基IGBT，如果稍稍高频但是电压不是很高，功率不是很高的情况下，使用硅基MOSFET。如果既是高频又是高压的情况下，适用碳化硅MOSFET。那么电压不需要很大，功率
关键字：罗姆电动汽车碳化硅

赛米控与罗姆就碳化硅功率元器件展开新的合作

赛米控（总部位于德国纽伦堡）和全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）在开发碳化硅（SiC）功率模块方面已经开展了十多年的合作。合作仪式剪影：赛米控CEO兼CTO Karl-Heinz Gaubatz先生（左）罗姆德国公司社长 Wolfram Harnack（中）赛米控CSO Peter Sontheimer先生（右）此次，罗姆的第4代SiC MOSFET正式被用于赛米控的车规级功率模块“eMPack®”，开启了双方合作的新征程。此外，赛米控宣布已与德国一家大型汽车制造商签署
关键字：罗姆碳化硅 SiC 无线宽带

意法半导体与赛米控合作,在下一代电动汽车驱动系统中集成碳化硅功率技术

服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)近日宣布，为世界排名前列的电源模块系统厂商赛米控（Semikron）的eMPack®电动汽车电源模块提供碳化硅(SiC)技术。该供货协议是两家公司为期四年的技术合作开发成果。采用意法半导体先进的 SiC 功率半导体，双方致力于在更紧凑的系统中实现卓越的能效，并在性能方面达到行业标杆。SiC 正迅速成为汽车行业首选的电动汽车牵引驱动的电源技术，有助于提高行驶里程和可靠性。赛米控最近宣布已获得一笔价值 1
关键字：意法半导体赛米控电动汽车碳化硅

UnitedSiC（现名Qorvo）宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET

2022年5月11日移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）系列。
关键字：UnitedSiC Qorvo SiC 碳化硅场效应管

安森美推全球首款TOLL封装碳化硅MOSFET 尺寸大幅缩小

安森美（onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON）在PCIM Europe展会发布全球首款To-Leadless（TOLL）封装的碳化硅（SiC）MOSFET。该晶体管满足了对适合高功率密度设计的高性能开关组件迅速增长的需求。直到最近，SiC组件一直采用明显需要更大空间的D2PAK 7接脚封装。TOLL封装的尺寸仅为9.90mm x 11.68mm，比D2PAK封装的PCB面积节省30％。而且，它的外形只有2.30mm，比D2PAK封装的体积小60％。除了更小尺寸之外，TOLL封装还提供比D2PAK 7接
关键字：安森美 TOLL封装碳化硅 MOSFET

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碳化硅介绍

碳化硅（SiC）为由硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。制造由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。最简单的方法是将氧化硅砂与碳置入艾其逊电弧炉中，以1600至2500°C高温加热。发现爱德华·古德里希·艾其逊在1893年制造出此化合物，并发展了生产碳化硅用之艾其逊电弧炉，至今此技术仍为众人使用中。性质碳化硅至少有70种 [ 查看详细]