- 新技术给 M58BW32F带来多项重要功能， 包括低压操作、更高存取性能、灵活的保护机制 意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）推出一个新的专门为汽车市场开发的升级版32-Mbit闪存芯片M58BW32F。新产品因为能够在汽车的全程温度范围内对存储器进行高速存取操作，所以特别适合汽车客户对传动系统和变速器控制模块的需求，同时还适用于其它的配备了最新的32位微控制器的高性能汽车系统。 新产品M58BW32F采用先进的0.11微米制造技术，汲取了ST在独立式和嵌入式闪存产品研发方面多年
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- 三星在一个月内将NAND的容量提高了四倍。 三星宣布，公司开发出了一种8GB 的NAND闪存设备。这种新的高容量多级单元（MLC ）闪存是基于60纳米的制造工艺，与70纳米的产品相比，60纳米工艺可以让产量提高25%。 有了这种最新的技术，三星能够向消费者提供8GB 内存的解决方案，它采用两个4GB 模块。新的NAND闪存将于今年第三季度面世。
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- 美国东部时间7月13日（北京时间7月14日）消息：据业内观察员称，市场上表现出来的NAND闪存价格即将上扬的第一个信号还没有维持多久，在高密iPod nano可能会延期发布的传言中，7月份最新的主流芯片市场动态已经预示出NAND闪存的价格可能会再下跌10％。据业内知情人士说，现代半导体公司和三星电子公司也都憋足了一口气准备展开一场价格战。 虽然Gartner Dataquest研究公司认为计划在今年四季度上市销售的10-12GB
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- 三星电子在近日推出了首款闪存笔记本电脑。这款笔记本以32GB的NAND闪存完全替代了传统的硬盘驱动器。 早在去年9月，三星与希捷在闪存是否会全面取代硬盘技术上展开争论，三星高层预言，硬盘时代已步入黄昏，闪存时代即将来临。希捷公司随即反驳，认为闪存完全替代硬盘还为时尚早。 从目前笔记本发展的趋势来看，移动性强，省电等指标已经成为用户购买笔记本电脑时的重要考虑因素，未来笔记本将进一步在不影响性能的前提下向轻薄化和长电池使用时间发展，闪存
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- 6月23日消息，据外电报道，针对当前愈演愈烈的裁员传闻，英特尔CEO欧德宁日前表示，最终的决定可能在下月财报分析师大会上宣布。 据英国媒体报道，由于几个季度的持续低迷，英特尔今年4月宣布，将对公司业务进行重组，其中包括裁员。此后，英特尔便先后关闭了苏格兰一小型工厂，取消了一光存储平台部门，另外还将两个闪存部门合二为一。 最近几周，又有消息称，英特尔最多可能裁员1.6万人。同时，还将对部分业务进行重组，例如出售闪业务门等。对此，欧德宁
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- 有国外媒体日前对包括硬盘和闪存在内的存储行业进行了一番分析。分析认为，硬盘和闪存之争并不会带来“你死我活”的局面，两者通过相互竞争、技术进步，加上消费电子市场对存储的需求不断扩大，两者的未来都很“光明”。 日立全球存储技术公司的高级副总裁比尔
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- 三星电子近日证实，正在就供应NAND闪存问题与索尼谈判。三星发言人表示：“我们正在与包括索尼在内的一些大公司就供应NAND闪存进行谈判，但是目前还没有确定任何细节。” 索尼希望获得8G以上的NAND闪存，预计订单将占到三星明年NAND总产量的五分之一以上。据称双方预计将在明年上半年签约。苹果电脑11月与三星签署了五亿美元的长期协议，在2010年以前将一直从三星进货.
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- 常忆科技(PMC)近日推出100 Mhz 的1Mb、2Mb、4Mb 串行外围接口(SPI) 内存，8Mb及16Mb也将在2006年推出，以供应计算器、PC的BIOS 、LCD monitor、医疗监控器、硬盘、光储存(ODD)、无线局域网络系统、打印机、复杂可程序逻辑组件(CPLD)/现场可程序门阵列 (FPGA)下载、电玩等制造厂商，提供球最高性能的串行外围接口(SPI) 之串行闪存。 新一代的PM25LV
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- 韩国三星电子在CES展会上表示，由于便携式音乐播放器等的广泛流行，预计2006年的NAND闪存市场将出现大幅增长。 三星电子闪存营销部门副主管Don Barnetson表示，去年全球NAND闪存总销售额达100亿美元，2004年为70亿美元，三星这一急剧增长的市场中一直保持了60%的市场份额。
- 关键字：三星闪存市场
- 据韩国三星经济研究所预测称，在数字电视和NAND闪存芯片强劲销售的推动下，2006年全球信息技术行业将继续复苏。 据Asia Pulse网站报道，三星经济研究所在一篇报告中称，全球信息技术行业在2005年第二季度触底之后已经进入了复苏的轨道。在数字电视和NAND闪存芯片销售的推动下，IT行业在2006年将继续复苏。 &
- 关键字：产业闪存数字电视
- 中芯国际与Saifun半导体日前共同宣布，中芯国际将采用Saifun的NROM技术研发生产闪存存储卡。 Saifun的NROM技术在非易失内存技术领域是一个突破。NROM技术将存储能力提高到每个基本存储单元四字节，是一般基本存储单元的两倍多。不仅如此，NROM技术简化了存储单元的器件模型，减少了生产步骤，降低了生产成本。 “闪存存储卡市场对于我们未来的发展而言是一个重要的驱动力，”中芯国际首席营运官Marco Mora表示，“在双方签署的第二份协议中，我们将Saifun先进的技术和中
- 关键字：NROMSaifun闪存中芯
- 常忆科技(PMC)近日推出100 Mhz 的1Mb、2Mb、4Mb 串行外围接口(SPI) 内存，8Mb及16Mb也将在2006年推出，以供应计算器、PC的BIOS 、LCD monitor、医疗监控器、硬盘、光储存(ODD)、无线局域网络系统、打印机、复杂可程序逻辑组件(CPLD)/现场可程序门阵列 (FPGA)下载、电玩等制造厂商，提供球最高性能的串行外围接口(SPI)&
- 关键字：SPI常忆闪存数据储存
- 据国外媒体援引消息人士透露，韩国芯片巨头三星电子计划进一步缩减DDR2内存产能，并将生产线用于盈利更好的NAND闪存。 据业内消息人士透露，在本季度，三星电子已经将其DDR2内存的产能压缩了大约5000万个 “256Mbit单位”。到明年第一季度，该公司计划进一步压缩5000万个单位。这位消息人士说，三星电子计划用这些腾出的生产线生产目前市场供不应求的NAND闪存产品。 三星电子这个举措符合存储市场调研公司iSuppli对明年DRAM市场所作的估计。据这家机构
- 关键字：DDR2三星闪存
- 根据内存市场研究机构DRAMeXchange最新调查显示，由于DRAM厂商面临过低的DRAM价格不愿放货，导致带动UTT(未经完整测试)产品的价格反弹。 适逢香港12月24日至12月27日的圣诞节假期，市场上买家也较为谨慎的掌控手中的库存，部分系统整合商以及OEM厂也不愿意在年底前买货增加库存，使得上周现货市场方面的交易并不火爆。主流芯片DDR 256Mb(32M
- 关键字：DDR2NAND价格闪存
闪存介绍
【闪存的概念】 闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断 [
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