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3d nand文章进入3d nand技术社区

芯和半导体荣获3D InCites “Herb Reiter年度最佳设计工具供应商奖”

  • 国内EDA行业领导者芯和半导体，由于其Metis平台在2.5D/3DIC Chiplet先进封装设计分析方面的杰出表现，近日在半导体行业国际在线平台3D InCites的评选中，获封2023“Herb Reiter 年度最佳设计工具供应商奖”称号。 “Xpeedic芯和半导体去年宣布Chipletz采用了Metis平台用于智能基板产品的设计，这一事件引起了我们极大的关注。“3D InCites创始人Françoise von Trapp表示，” 我们非常兴奋芯和半导体今年首次参加3D
  • 关键字：芯和半导体3D InCitesHerb Reiter年度最佳设计工具供应商奖

支持下一代 SoC 和存储器的工艺创新

  • 本文将解析使 3D NAND、高级 DRAM 和 5nm SoC 成为可能的架构、工具和材料。要提高高级 SoC 和封装（用于移动应用程序、数据中心和人工智能）的性能，就需要对架构、材料和核心制造流程进行复杂且代价高昂的更改。正在考虑的选项包括新的计算架构、不同的材料，包括更薄的势垒层和热预算更高的材料，以及更高纵横比的蚀刻和更快的外延层生长。挑战在于如何以不偏离功率、性能和面积/成本 (PPAC) 曲线太远的方式组合这些。当今的顶级智能手机使用集成多种低功耗、高性能功能的移动 SoC 平台，包括一个或多
  • 关键字：3D NANDDRAM5nmSoC

不是“空中楼阁”：努比亚Pad 3D搭载全球最大Leia 3D内容生态

  • 近日，努比亚宣布，将在MWC 2023上，公布全球首款由AI引擎驱动3D平板：努比亚Pad 3D。但裸眼3D本身早已不是什么新鲜技术， 这难免让人怀疑这款努比亚Pad 3D的最大卖点，是否会向其他同类产品一样，沦为“空中楼阁”。而今天，努比亚打消了用户的这一顾虑。今天，努比亚官方宣布， 努比亚Pad 3D将搭载全球最大的Leia 3D内容生态系统，包含大量运用裸眼3D技术的App，并获得了来自多个包括Unity、UNREL等游戏引擎，以及GAMELOFT等游戏开发商的内容支持。
  • 关键字：努比亚MWC3D游戏引擎

西部数据宣布进一步削减生产和投资，NAND 晶圆产量将减少至 30%

  • IT之家 2 月 7 日消息，据韩媒 Business Korea 报道，在内存半导体行业持续低迷的情况下，全球 NAND 闪存市场第四大公司西部数据宣布将进一步缩减设备投资和生产。西部数据 1 月 31 日在 2022 年第四季度业绩电话会议上表示，2023 财年设备投资总额将达到 23 亿美元（当前约 156.17 亿元人民币）。据IT之家了解，这一数字比 2022 年 10 月披露的 27 亿美元（当前约 183.33 亿元人民币）下降了 14.8%，与 2022 年 8 月公布
  • 关键字：NAND内存西部数据

意法半导体和钰立微电子在 CES 2023上展出合作成果： 适用于机器视觉和机器人的3D 立体视觉摄像头

  • 双方将通过立体摄像头数据融合技术演示3D立体深度视觉， *AIoT 、AGV小车和工业设备依靠3D立体摄像头跟踪快速运动物体参考设计利用意法半导体的高性能近红外全局快门图像传感器，确保打造出最佳品质的深度感测和*点云图资讯2023年1月5日，中国----在 1 月 5 日至 8 日举行的拉斯维加斯CES 2023 消费电子展上，服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM)，和专
  • 关键字：意法半导体钰立CES 2023机器视觉3D 立体视觉摄像头

NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成

  • 消费性固态硬盘（Client SSD）受惠于疫情红利，在过去二年作为推动全球NAND Flash需求位成长的要角，市调机构集邦预估，2022年消费性SSD在笔电的渗透率达92％，2023年约96％。但随疫情红利退场，加上总经不佳导致消费性电子需求急冻，未来消费性SSD需求放缓最明显，连带使整体NAND Flash需求位成长受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消费性SSD于笔电搭载容量已逾500GB，512GB消费性SSD在近期迅速跌价后，已与半年前256GB报价相近，甚至
  • 关键字：NAND Flash

基于FPGA的NAND FLASH坏块表的设计与实现

  • 在现代电子设备中，越来越多的产品使用NAND FLASH芯片来进行大容量的数据存储，而且使用FPGA作为核心处理芯片与NAND FLASH直接交联。根据NAND FLASH的特点，需要识别NAND FLASH芯片的坏块并进行管理。FPGA对坏块的管理不能按照软件的坏块管理方式进行。本文提出了一种基于FPGA的NAND FLASH芯片坏块表的设计方法，利用FPGA中RAM模块，设计了状态机电路，灵活地实现坏块表的建立、储存和管理，并且对该设计进行测试验证。
  • 关键字：NAND FLASHFPGA坏块坏块检测202212

如何达到3D位置感测的实时控制

  • 本文回顾3D霍尔效应位置传感器的基础知识，并描述在机器人、篡改侦测、人机接口控制和万向节马达系统中的用途；以及介绍高精密度线性3D霍尔效应位置传感器的范例。用于实时控制的3D位置感测在各种工业4.0应用中不断增加，从工业机器人、自动化系统，到扫地机器人和保全。3D霍尔效应位置传感器是这些应用的理想选择；它们具有高重复性和可靠性，还可以与窗户、门和外壳搭配，进行入侵或磁性篡改侦测。尽管如此，使用霍尔效应传感器设计有效且安全的3D感测系统可能复杂且耗时。霍尔效应传感器需要与足够强大的微控制器（MCU）介接，以
  • 关键字：3D位置感测实时控制3D 霍尔效应传感器

全球首款！美光232层NAND客户端SSD正式出货

  • 12月15日，美光宣布，已开始向PC OEM客户出货适用于主流笔记本电脑和台式机的美光2550 NVMe固态硬盘（SSD）。据官方介绍，美光2550是全球首款采用200+层NAND技术的客户端SSD，该产品基于PCIe 4.0架构，采用美光232层NAND技术，加强了散热架构和低功耗设计。美光2550 SSD可在包括游戏、消费和商用客户端等主流PC平台上提升应用程序的运行速度和响应灵敏度。与竞品相比，2550 SSD文件传输速度快112%，办公应用运行速度快67%，主流游戏加载速度快57%，内容创
  • 关键字：美光232层NANDSSD

韩国芯片出口暴降30%！SSD腰斩白菜价甩卖：SK海力士、三星亏到家

  • 作为韩国的重要支柱，芯片出口的多少，直接关系着几大财团的营收，比如三星、SK海力士等等。据国外媒体报道，消费电子产品需求下滑，导致对芯片的需求下滑，尤其是存储芯片，需求与价格双双下滑。韩国关税厅最新公布的数据显示，在11月份的前20天，韩国芯片出口52.8亿美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韩国重要的出口产品还有智能手机等移动设备，但这一类产品的出口额在前 20 天的出口额，也同比下滑20.6%，降至13.6亿美元。比较有标志性的一个现象是，全球智能手机老大已经在不停的砍单了，至少在3000万部，这也
  • 关键字：三星SK海力士DRAMNAND

大联大世平集团推出基于耐能Kneron产品的3D AI人脸识别门禁系统方案

  • 2022年11月16日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下世平推出基于耐能（Kneron）KL520芯片的3D AI人脸识别门禁系统方案。 图示1-大联大世平基于耐能Kneron产品的3D AI人脸识别门禁系统方案的展示板图 在现代化经济建设和智能管理的驱动下，人工智能门禁系统作为安防基础核心迎来了前所未有的广阔前景。特别是在疫情这个特殊情境下，各种酒店、宾馆、写字楼、智能大厦、政府机关等单位，对于多功能智能门禁系统的需求更是日益攀高。在此趋势下，大
  • 关键字：大联大世平耐能Kneron3D AI人脸识别门禁

Arm Immortalis 实现 3D 游戏新境界

  • 新闻重点· 随着业界首次采用 Arm 2022 全面计算解决方案，Arm 持续提高安卓生态系统的性能标杆· Arm Immortalis-G715 支持基于硬件的光线追踪，将为高级移动游戏提供超真实的图形性能· Arm Cortex-X3 所提供的计算基础可为新一代智能手机提供具有智能能效的旗舰性能Arm® 今日宣布，MediaTek 近期发布的天玑 9200 移动芯片采用了 Arm 旗舰级 GPU Arm Immortalis™-G
  • 关键字：Arm Immortalis3D 游戏

三星开始量产第8代V-NAND，存储密度高达1Tb

  • 作为全球化的半导体企业，正如在2022年度闪存峰会和2022年度三星内存技术日上所承诺的，三星今日宣布，已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb（太字节）三比特单元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。三星电子第八代V-NAND，1Tb三星闪存产品与技术执行副总裁SungHoi Hu表示："市场对更高密度、更大容量存储的需求，推动了V-NAND层数的增加，三星采用3D缩放（3
  • 关键字：三星V-NAND存储密度

三星宣布量产第 8 代 V-NAND 闪存，PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps

  • IT之家 11 月 7 日消息，虽然还没有发布任何实际产品，但三星电子现宣布已经开始大规模生产其 236 层 3D NAND 闪存芯片，该公司将其命名为第 8 代 V-NAND。新一代存储芯片可带来 2400MTps 的传输速度，当搭配高端主控使用时，它可使得消费级 SSD 的传输速度轻松超过 12GBps。据介绍，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星电子没有公开 IC 的大小和实际密度，不过他们称之为业界最高的比特密度。三星声称，与现有相同容量的闪存芯片相比，
  • 关键字：V-NAND闪存三星

存储系统的数字安全技术

  • NAND 闪存用于各种消费和工业产品，从笔记本电脑和手机到工业机器人、医疗设备和嵌入式物联网设备，如传感器和控制器。 在我们日益互联的世界中，这些应用程序中的所有脆弱点都需要足够和强大的安全措施，包括数据存储系统。 因此，在选择或设计 NAND 闪存存储系统时，必须确保存储器的安全性满足应用程序的要求。执行现代安全技术需要足够的处理能力。 作为存储系统的“大脑”，NAND闪存控制器必须足够强大以支持整个存储系统所需的安全级别。 本文概述了 NAND 闪存的安全性，涵盖了最常见的硬件和软件技术，有助于告知读
  • 关键字：存储系统数字安全海派世通NAND
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