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三星512GB eUFS 3.1投产，传Galaxy Note 20率先采用

  • 智能手机的运算能力越来越高，下载速度也越来越快，储存芯片的读写速度亦需要配合，才能发挥每个环节的最高效能。日前三星（Samsung）就宣布开始大规模投产512GB的eUFS 3.1储存芯片，它的特点就是其读写速度较上一代更快。
  • 关键字：三星Galaxy Note 20512GB eUFS 3.1

三星量产512GB UFS 3.1手机闪存

  • 三星近日宣布开始量产512GB eUFS 3.1芯片，其连续写入速度超过1.2GB/s，是其前代产品写入速度的3倍。
  • 关键字：三星512GB闪存
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512gb介绍

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