- 总部位于美国洛杉矶市、开发替代MOSFET技术的氮化镓(eGaN)技术的宜普电源转换公司(EPC) 与总部位于香港的创徽科技有限公司(ASD)宣布携手合作，共创新里程，针对客户的目标应用,利用最新的eGaN技术为客户提供最佳的解决方案。 EPC公司是研发氮化镓技术和制造氮化镓器件的领导厂商。具备优越性能的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及集成电路在各种终端应用中可以替代日益老化的MOSFET技术，包括DC/DC转换器、无线电源传输、包络跟踪、射频传输、功率逆变器、遥距感测技术及D类
- 关键字：EPCASD
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