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IR为工业应用推出大罐式DirectFET MOSFET系列

  •   球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列,适用于要求极低导通电阻 (RDS(on)) 的工业应用,包括大功率直流电机,直流/交流逆变器,以及动态ORing热插拔和电熔丝等大电流开关应用。   全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封装器件提供卓越的导通电阻性能,从而实现较低的导通损耗和更理想的系统效率。这款大罐式产品与中罐式和小罐式DirectFET器件相似,具备
  • 关键字:IRMOSFETDirectFET

IR 推出新型25V DirectFET 芯片组

  •   国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片组,为 12V 输入同步降压应用 (包括服务器、台式电脑和笔记本电脑) 提供最佳效率。   IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片组不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技术,还具有业界领先的性能指数 (FOM) 及 DirectFET 封装卓越的开关和热特性,成为一个为高频率 DC-DC 开
  • 关键字:IRMOSFETDirectFET芯片组

IR 推出适用于汽车的 DirectFET 2 功率 MOSFET

  •   国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 今天推出适用于汽车的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。这两款产品以坚固可靠、符合AEC-Q101标准的封装为汽车应用实现了卓越的功率密度、双面冷却和极小的寄生电感和电阻。   IR 的这些首款汽车用 DirecFET2 件完全不含铅,与传统标准塑料封装元件相比,可降低整体系统级尺寸和成本,实现更优异的性能和效率。   IR 亚洲区销售副总裁潘大伟
  • 关键字:IRMOSFETAUIRF7739L2AUIRF7665S2DirectFET

IR 推出IRF6718 DirectFET MOSFET

  •   国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。这款新型25V器件提供业界最低的通态电阻 (RDS(on)),并且使动态ORing、热插拔及电子保险丝等DC开关应用达到最佳效果。   IRF6718在新款大罐式DirectFET封装中融入了IR新一代硅技术,提供极低的通态电阻(在10V Vgs时典型为0.5mΩ),同时比D2PAK的占位面积缩小60%,高度缩小85%。新器件大幅减少了有关旁路元件的传导
  • 关键字:IRMOSFETDirectFET

国际整流器公司授权英飞凌科技使用DirectFET®封装技术

  • 英飞凌科技股份有限公司与国际整流器公司IR宣布,英飞凌获得国际整流器公司DirectFET?的授权许可,获准使用享有专利的先进功率封装技术。 DirectFET功率封装技术适用于计算机、笔记本、通信设备和消费类电子产品中的交流-直流以及直流-直流电源转换器件,是业界一流的表面贴功率MOSFET封装技术,在SO-8封装尺寸或更小尺寸上进行顶部冷却非常有效。较之标准分立塑封,DirectFET的“金属帽”结构可实现双面冷却,将高频直流-直流降压转换器的电流处理能力提升一倍。 英飞凌将在OptiMOS2和Opt
  • 关键字:工业控制国际整流器英飞凌DirectFET中间件软件库

DirectFET技术电路板安装指南

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字:IRDirectFET

IR授权使用DirectFET封装技术

  •   IR近日与两家总部分别位于不同地区的半导体供应商达成协议,授权他们使用 IR 的 DirectFET 封装技术。   DirectFET MOSFET封装技术基于突破性的双面冷却技术,在2002年推出后迅速成为了先进计算、消费及通信应用解决安装散热受限问题的首选解决方案。自从该技术推出后,DirectFET 便成为 IR 公司历史上增长速度最快的产品。由于 DirecFET 封装能改善电流密度和性能,I
  • 关键字:DirectFETIR电源技术封装技术模拟技术封装

IR授权使用DirectFET封装技术

  •   IR近日与两家总部分别位于不同地区的半导体供应商达成协议,授权他们使用 IR 的 DirectFET 封装技术。   DirectFET MOSFET封装技术基于突破性的双面冷却技术,在2002年推出后迅速成为了先进计算、消费及通信应用解决安装散热受限问题的首选解决方案。自从该技术推出后,DirectFET 便成为 IR 公司历史上增长速度最快的产品。由于 DirecFET 封装能改善电流密度和性能,I
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