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英伟达H200带宽狂飙!HBM3e/HBM3时代即将来临

  • 当地时间11月13日,英伟达(NVIDIA)宣布推出NVIDIA HGX™ H200,旨为世界领先的AI计算平台提供强大动力,将于2024年第二季度开始在全球系统制造商和云服务提供商处提供。H200输出速度约H100的两倍据介绍,NVIDIA H200是基于NVIDIA Hopper™架构,配备具有高级内存的NVIDIA H200 Tensor Core GPU,可处理海量数据,用于生成式AI和高性能计算工作负载。图片来源:英伟达与H100相比,NVIDIA H200对Llama2模型的推理速度几乎翻倍。
  • 关键字:英伟达H200HBM3eHBM3

海力士竞逐 HBM 市场份额,正计划将扩建其产能并使产能翻倍

  • 6 月 18 日消息,据 businesskorea 以及 etnews 报道,SK 海力士将扩展其 HBM3 后道工艺生产线,并已收到英伟达要求其送测 HBM3E 样品的请求据称,考虑到对人工智能 (AI) 半导体的需求增加,S 海力士正在考虑将 HBM 的产能翻倍的计划。业内消息称 SK 海力士于 6 月 14 日收到了 NVIDIA 对 HBM3E 样品的请求,并正在准备发货。HBM3E 是当前可用的最高规格 DRAM HBM3 的下一代,被誉为是第五代半导体产品。SK 海力士目前正致力于开发该产品
  • 关键字:businesskoreaSK海力士HBM3英伟达HBM3E

SK海力士将向英伟达供应业界首款HBM3 DRAM

  • SK海力士宣布公司开始量产 HBM3 -- 拥有当前业界最佳性能的 DRAM。拥有当前业界最佳性能的 HBM3 DRAM 内存芯片,从开发成功到量产仅用七 个月HBM3将与NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配,以实现加速计算(accelerated computing)SK海力士旨在进一步巩固公司在高端 DRAM 市场的领导地位* HBM (High Bandwidth Memory,高带宽存储器):是由垂直堆叠在一起的 DRAM 芯片组合而成的高价值、高性能内存
  • 关键字:SK海力士英伟达HBM3DRAM

英伟达H100具有800亿晶体管首次使用HBM3

  • Nvidia在其年度GTC会议上宣布了一系列以AI为重点的企业产品。其中包括其新的硅架构Hopper的细节;第一个使用该架构的数据中心GPU H100;一个新的Grace CPU "超级芯片";以及该公司声称将建立世界上最快的AI超级计算机的模糊计划,名为Eos。Nvidia从过去十年的人工智能热潮中受益匪浅,其GPU被证明是流行的、数据密集型深度学习方法的完美匹配。Nvidia表示,随着AI领域对数据计算需求的增长,它希望提供更多的火力。特别是,该公司强调了一种被称为变形金刚的机
  • 关键字:英伟达H100HBM3
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