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关键字：SK海力士 移动端 DRAM HKMG
本文用老百姓看得懂的语言介绍前两天XILINX 28nm FPGA所采用TSMC的HIGH-K金属栅工艺(HKMG)新闻的重大意义。
关键字：赛灵思 FPGA HKMG
以IBM公司为首的芯片制造技术联盟，即GlobalFoundries，三星等公司组成的团体最近驳斥了有关该联盟在开发high-k+金属栅极(HKMG)工艺时遇到困难的传言。 风波的起因在于近日Barclays的分析师Andrew Lu的一份报告，这份报告指出：“HKMG技术的目的在于减小栅极尺寸变小时的栅漏电量。”文章指出，在如何实现HKMG技术方面，业界分为两大流派，其一是Intel，台积电为首的Gate-last派，Gate last工艺将生成金属栅极的工步放在漏源极
关键字：IBM HKMG
随着晶体管尺寸的不断缩小，HKMG(high-k绝缘层+金属栅极)技术几乎已经成为45nm以下级别制程的必备技术.不过在制作HKMG结构晶体管的 工艺方面，业内却存在两大各自固执己见的不同阵营，分别是以IBM为代表的Gate-first(先栅极)工艺流派和以Intel为代表的Gate-last(后栅极)工艺流派，尽管两大阵营均自称只有自己的工艺才是最适合制作HKMG晶体管的技术，但一般来说使用Gate-first工艺实现HKMG结构的难点在于如何控制 PMOS管的Vt电压(门限电压);而Gate-la
关键字：Intel 45nm HKMG
对GlobalFoundries公司设在德国德累斯顿的Fab1工厂的总经理Udo Nothelfer和他的员工来说，今年可以说是任务繁重的一年。今年， 他管理的这间工厂要实现产能的翻倍，其月晶圆产能要从3万片增加到6万片。同时，Fab1工厂的生产任务也将从过去单单为AMD公司代工MPU芯片，转为 现在的还需要为其它多家公司代工芯片产品。不仅如此，今年Fab1还要尽量提升采用新款32/28nm HKMG制程技术制作的芯片产品的产量。 Udo Nothelfer 不过挑战正
关键字：GlobalFoundries HKMG MPU
随着晶体管尺寸的不断缩小，HKMG(high-k绝缘层+金属栅极)技术几乎已经成为45nm以下级别制程的必备技术.不过在制作HKMG结构晶体管的 工艺方面，业内却存在两大各自固执己见的不同阵营，分别是以IBM为代表的Gate-first工艺流派和以Intel为代表的Gate-last工艺流派，尽管两大阵营均自称只有自己的工艺才是最适合制作HKMG晶体管的技术，但一般来说使用Gate-first工艺实现HKMG结构的难点在于如何控制 PMOS管的Vt电压(门限电压);而Gate-last工艺的难点则在于
关键字：半导体 HKMG
不知是否是因为Global Foundries的步步威胁，台积电28日宣布，延聘3年前离职的蒋尚义博士担任研究发展资深副总经理，他将直接对张忠谋董事长负责。 这是继张忠谋6月重新执政台积电以来，又一次重大的人事调整。蒋尚义博士早在1997年即加入台积电担任研究发展副总经理，带领研发团队一路顺利开发完成0.25微米、0.18微米、0.13微米、90纳米、65纳米等各个世代的先进工艺技术，成果斐然。但是三年多前因为要照顾年迈生病的父亲而暂时离开，如今因父亲仙逝而能再度回到台积，相信蒋资深副总的回任，
关键字：台积电 40纳米 HKMG EUV
台积电24日宣布已将低耗电工艺纳入28纳米高介电层/金属闸(High-k Metal Gate，HKMG)工艺的技术蓝图，预计于2010年第三季进行试产(Risk Production)。 台积电自2008年九月发表28纳米技术以来，技术的发展与进入量产的时程皆按预期计划进行。就试产时程顺序而言，低耗电氮氧化硅(简称28LP)工艺预计于2010年第一季底进行试产，高效能高介电层/金属闸(简称28HP)工艺则预计于2010年第二季底开始试产，而低耗电高介电层/金属闸(简称28HPL)工艺的试产时程
关键字：台积电 28纳米 HKMG
晶圆代工业者Global Foundries来势汹汹，除积极与台积电争抢两大绘图芯片客户超微(AMD)与NVIDIA订单，在技术上亦强调其将是目前晶圆代工厂最领先者，继台积电日前发表28纳米制程技术，Global Foundries亦不甘示弱，对外发表22纳米制程，预计最快2012年进行生产，与台积电互别苗头意味浓。 台积电日前在京都VLSI大会上发表28纳米制程，是首代正式采用高k金属栅(High-k Metal Gate;HKMG)制程技术，并将取代32纳米成为全世代制程，多数晶圆厂包括Gl
关键字：GlobalFoundries 晶圆代工 绘图芯片 28纳米 HKMG
GLOBALFOUNDRIES日前介绍了一种创新技术，该技术可以克服推进高 k金属栅(HKMG)晶体管的一个主要障碍，从而将该行业向具有更强计算能力和大大延长的电池使用寿命的下一代移动设备推进了一步。 众所周知，半导体行业一直致力于克服似乎难以逾越的困难，以延续更小、更快、更节能的产品趋势。研究是通过GLOBALFOUNDRIES参与IBM技术联盟来与IBM合作的形式进行的，旨在继续将半导体元件的尺寸缩小到22纳米节点及更小尺寸。 在2009年于日本京都举行的VLSI技术研讨会上，GLOB
关键字：GLOBALFOUNDRIES HKMG 电池
ARM在巴塞罗那移动世界大会上展示了32nm工艺的ARM处理器。ARM合作伙伴将在2009年开始接触测试这一技术，全面投产则要到2010年初。 它是第一个采用ARM物理IP、在IBM基于32nm高K金属门(HKMG)工艺的Common Platform测试芯片上构建的32nm Cortex系列处理器核。 ARM正在开发量身定制的物理IP，其目标是利用Common Platform 32/28nm HKMG技术
关键字：ARM 32nm 处理器 HKMG
据Chinatimes报道，台积电年底40纳米即将导入量产，对次世代32纳米技术也有了新规划，除了提供一般型及低功耗的32纳米技术外，近期业内已传出将提供高介电金属栅电极（High-K Metal Gate，HKMG）技术，此举等同于可提供中央处理器（CPU）代工服务，业内预期这是为了争取AMD处理器订单而先行铺路。 台积电于今年3月底正式推出40纳米晶圆共乘服务，提供客户泛用型制程（40G）及低耗电制程（40LP）等两种制程，下半年亦有多个产品完成设计定案（tape-out），明年第二季将推出
关键字：台积电 40纳米 HKMG CPU
hkmg介绍
HKMG(high-k绝缘层+金属栅极) HKMG的优势和缺点 优势：不管使用Gate-first和Gate-last哪一种工艺，制造出的high-k绝缘层对提升晶体管的性能均有重大的意义。high-k技术不仅能够大幅减小栅极的漏电量，而且由于high-k绝缘层的等效氧化物厚度(EOT:equivalentoxidethickness)较薄，因此还能有效降低栅极电容。这样晶体管的关键尺 [
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