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DRAM产业走向低纳米技术 成本缩减将放速

  •   最近几个季度DRAM产业在推低光刻节点方面比较积极,但在今年剩余时间内力度将逐渐减弱。今年第一季度DRAM产业的加权平均节点从2010年第四季度的5.3%上升到5.6%,表明推动DRAM技术迁移的力度在增大。。在此期间,成本降幅从7.8%增大至14.2%,晶圆成本下降情况与光刻工艺的变化相符。据IHS iSuppli公司的研究,随着DRAM市场过渡到效率更高的低纳米技术,该产业的成本削减及节省步伐从2012年开始将放缓。
  • 关键字:InoteraDRAM

分析师看好全球生产线的扩张版图

  •   按SEMI的资深分析师Christian Dieseldorff报道,SEMI的全球Fab预测于2010年时全球Fab投资再增加64%,达240亿美元。   ICInsight的McClean认为,今年第三季度的全球产能利用率可达88%,接近去年金融危机之前的水平。它还认为2007年的产能利用率达90%,一直维持到去年的前三个季度。之后2008 Q4下降到68%,2009 Q1为最低水平是57%,到09 Q2由于OEM为补充库存而使产能利用率又回复到78%。  
  • 关键字:Inotera70纳米沟槽式DRAM

台湾内存芯片厂商纷纷提升制程并欲提高产能

  •   由于第三季度内存芯片价格看涨,因此台湾内存芯片厂商华亚(Inotera),南亚(Naya)以及力晶半导体(PSC)公司最近纷纷进行制程转换并计划提高产能。此前,由于PC和ASP市场需求萎靡,因此这些芯片厂商曾一度减产自保。   力晶公司将员工的月无薪休假日数由8天减到了4天,而华亚和南亚则计划六月份开始禁止大部分员工无薪休假。   华亚称由于奇梦达的破产其出货量有所下降,不过自从与镁光达成供货协议后出货开始恢复。该公司预计五月份产量为8万片12英寸晶圆,而到第三季度,月产量将达9-10万片。相比第
  • 关键字:Inotera晶圆内存芯片
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