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Numonyx与Intel在相变存储研究中取得关键性突破

  •   相变存储 (PCM) 是一项结合了现今多种存储产品类型的不同优点的非易失性内存技术,恒忆 (Numonyx) 与英特尔 (Intel) 今天宣布双方在该领域得研究中取得关键性突破。研究人员得以首次演示能够在单一芯片堆栈多层 PCM 阵列的 64Mb 测试芯片,对于随机存取非易失性存储器及存储应用而言,这些发现有助于推出容量更大、功耗更低且尺寸更小的存储装置。   上述发现是 Numonyx 与 Intel 长久以来共同进行的一项研究计划的成果,该计划的目的着重于研究多层式或堆栈式 PCM 单元阵列。
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英特尔与恒忆公布突破性相变存储器技术研究成果

  •   英特尔公司与恒忆(Numonyx B.V.)今天公布了一项突破性的相变存储器(PCM)研究成果,这种新的非易失性存储器技术结合了目前各种存储器的优势。研究人员首次展示了能够在单个硅片上堆叠或放置多个PCM阵列层的64Mb测试芯片。这些研究成果为制造更高容量、更低能耗的存储器设备铺平了道路,能够为随机存取非易失性存储器和存储应用降低所占用的空间。   这项成果由恒忆和英特尔联合开发,双方一直在合作探索多层或堆叠式PCM单元阵列方面的研究。英特尔和恒忆的研究人员现在能够展示垂直集成的存储器单元PCMS(
  • 关键字:英特尔PCMPCMS
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