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SiC器件和封装技术现状

• 众所周知，封装技术是让宽带隙 (WBG) 器件发挥潜力的关键所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技术的性能表征，如单位面积的导通电阻 (RdsA)，同时同步降低电容以实现快速开关。新的分立封装即将推出，它能让用户更好地利用宽带隙快速开关性能。可用的标准模块越来越多，而且有越来越多的新先进技术通过实现快速开关、降低热阻与提高可靠性来提高产品价值。器件技术SiC 肖特基二极管销售额占了 SiC 销售额的 50% 以上，其中大部分是 650V、1200V 和1700V 等级。650V 二极管用于计
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