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Vishay推出业内最小-20V P沟道Gen III MOSFET

  • 2013 年 12 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出业界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB，扩展其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
  • 关键字：VishaySi8851EDB导通电阻
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