- 自去年7月以来，三菱电机发布了一系列碳化硅(SiC)功率模块，这些产品将于今年6月18日至20日在上海世博展览馆举行的PCIM亚洲展 2013(展位号：402)中隆重亮相。 众所周知，目前市场上采用的功率模块的IGBT芯片大多采用硅材料制造，但是业界对硅(Si)材料的性能利用已接近极限。与Si相比，SiC的禁带宽度是Si的3倍，临界击穿电场强度是Si的10倍，电子饱和速率是Si的2倍。 与传统的Si功率器件相比，SiC功率器件具有关断拖尾电流极小、开关速度快、损耗低、耐高温的特
- 关键字：三菱电机SiC功率模块
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