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Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管

  • 器件采用MPS结构设计，额定电流4 A~ 40 A，正向压降、电容电荷和反向漏电流低 美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年5月23日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，正向压降、电容电荷和反向漏电流低，有助于提升开关电源设计
  • 关键字：VishaySiC肖特基二极管
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sic肖特基二极管介绍

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