- 模拟 EE 世界失去了一颗明星。Jim 的数百篇文章、书籍和应用笔记是（并将继续是）信息、灵感和看到大师轻松解决棘手设计难题的喜悦的无底泉源，所有这些都包含在令人愉快的写作风格中。这里介绍的设计思想源自他发表在 AN45测量和控制电路集（夜班尿布和设计）第 7 页的电路之一。模拟 EE 世界失去了一颗明星。Jim 的数百篇文章、书籍和应用笔记是（并将继续是）信息、灵感和看到大师轻松解决棘手设计难题的喜悦的无底泉源，所有这些都包含在令人愉快的写作风格中。这里介绍的设计思想源自他发表在 AN45测量和控制电路
- 关键字：晶体管VBE振荡器
- 目标本活动的目的是研究BJT的共发射极配置。 背景知识共发射极放大器是三种基本单级放大器拓扑之一。BJT共发射极放大器一般用作反相电压放大器。晶体管的基极端为输入，集电极端为输出，而发射极为输入和输出共用（可连接至参考地端或电源轨），所谓“共射”即由此而来。 材料■ ADALM2000主动学习模块■ 无焊面包板► 五个电阻► 一个50 kΩ可变电阻、电位计► 一个小信
- 关键字：VBEICNPN
- 带隙基准源广泛应用于各类集成电路之中。在现代集成电路日益发展的今天，带隙基准源扮演了极其重要的角色。在A／D，D／A转换器以及一些模拟和数字电路中，带隙基准源起着至关重要的作用，它的温度特性和抗噪声能力直接决定了整体电路的精度和性能。因此，提高带隙基准源的精度是十分重要的。
- 关键字：带隙基准源集成电路VBEA／DD／A
- 1947年12月，贝尔实验室的约翰·巴丁、沃尔特·布喇顿在威廉·肖克利的指导下共同发明了点接触形式的双极性晶体管，从这一天开始整整一个时代拉开了序幕 。
- 关键字：晶体管三极管基极放大器VBE
- 摘要：本文介绍了视频电子标准协会(VESA)制定的VBE标准，结合该标准，通过对基于嵌入式平台的遥感图像实时滚动显示系统的三种软件实现方案进行对比，凸显了该标准的在硬件资源占用上的优势，最后，本文给出了一个基于
- 关键字：实时显示应用图像动态及其VBE标准
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