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- 3 仿真分析及具体设计结果3.1 仿真分析在亚微米的ESD结构的设计中，一种常见的具体的ESD瞬态检测电压如图2 VDD-VSS间的电压钳位结构。其原理如下：主要利用结构中的RC延迟作用，一般T=RC被设计为100ns-1000ns之间，而
- 关键字：VDD-VSSESDCMOS亚微米电路
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