- 基于Spartan-3 FPGA的DSP功能实现方案,本文阐述了Spartan-3 FPGA针对DSP而优化的特性，并通过实现示例分析了它们在性能和成本上的优势。 所有低成本的FPGA都以颇具吸引力的价格提供基本的逻辑性能，并能满足广泛的多用途设计需求。然而，当考虑在FPGA构
- 关键字：实现方案功能DSPSpartan-3FPGA基于
- 1996年，家喻户晓的通用串行接口(USB1.0)初次问世，它可以支持低速(LS)模式和全速(FS)模式，分别提供1.5Mbps和12Mbps的速率。2000年，USB2.0面市，其新的高速(HS)模式可提供高达480Mbps的速率，并且依然向下兼容低
- 关键字：USB3.0ESD防护
- IC设计龙头联发科(2454)2.75G版Android2.1入门版本推出后市场反应不错，在此2.75G版激励下，联发科将「打铁趁热」，预计近期将再推出进阶版2.2版。联发科表示，明年Q2将推3.5GAndroid平台的智能手机芯片，同时进入量产，预计明年3.5GAndroid平台推出，将有机会进一步抢下智能型手机市场。
- 关键字：联发科技3.5G芯片
- HT46R73D-3 是盛群半导体新推出的Dual Slope A/D 型 8-Bit OTP MCU，其内建Touch-key功能，再配合丰富及多样化的週边功能，特别适用于电桥式传感器的量测系统，可用来量测压力、温度、溼度变化的产品，如：体重计、压力计、温度计、溼度计、胎压计等。 HT46R73D-3规格包含有4K word OTP 程式记忆体、128 Byte资料记忆体、2个16-bit Timer及1个8-bit Timer，另具备Buzzer硬体输出功能。 最多可达16个I/O Pi
- 关键字：盛群MCUHT46R73D-3
- 基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系统设计与仿真, 摘 要： 介绍了DDR2嵌入式系统的仿真模型以及Hyperlyxn仿真工具，并基于Hyperlyxn仿真工具对IBIS模型进行仿真分析，给出了一个具体的DDR2嵌入式系统的设计过程和方法。 现代电子设计和芯片制造技术正在飞速发展
- 关键字：设计仿真系统嵌入式HyperlynxDDR2基于
- u-blox 发布了全新的小型超高速无线通信模块 LISA 系列。LISA 支持各种类型的宽带应用，如移动计算、车载信息娱乐、远程控制系统及手持终端，在这些应用中无线高速互联网连接具有举足轻重的作用。该模块还提供了安全数据交换以支持敏感应用，如自动读表、固定无线终端、远程医疗、远程显示以及 POS 终端。
- 关键字：U-blox无线通信模块3.75G
- 0 引言 IEC61131—3组态软件是分布式控制系统中的上位软件，是工程师与系统的接口，可完成控制系统中现场设备运行的逻辑组态，从而实现对系统的控制。随着PLC与DCS系统的应用日趋广泛，IEC6113l一3已经在工
- 关键字：设计方案结构中间语言编译器IEC31131-3
- 基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存储器接口控制器的设计, 本白皮书讨论各种存储器接口控制器设计所面临的挑战和 Xilinx 的解决方案，同时也说明如何使用 Xilinx软件工具和经过硬件验证的参考设计来为您自己的应用(从低成本的 DDR SDRAM 应用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 这样
- 关键字：接口控制器设计存储器SDRAMXilinxFPGADDR2基于
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出单 / 双 / 四路轨至轨运算放大器 LTC6252/3/4 和 LTC6255/6/7，这些器件采用纤巧封装，提供了无与伦比的速度-电源效率。LTC6252/3/4 实现了 720MHz 增益带宽 (GBW) 积和 280V/us 转换率，同时仅消耗 3.3mA 电源电流。LTC6255/6/7 提供 6.5MHz 增益带宽积和 1.8V/us 转换率，仅消耗 65uA 电源电流。这些器件与之前推出的 180MHz 增
- 关键字：Linear运算放大器LTC6252/3/4LTC6255/6/7
- USB 3.0是什么？
USB 3.0是最新的USB规范，该规范由Intel等大公司发起。目前，USB 2.0已经得到了PC厂商普遍认可，接口更成为了硬件厂商接口必备，看看家里常用的主板就清楚了。
随着硬件设备的不断发展进步，更
- 关键字：3.0USB
- 美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50纳米的DDR2内存，支持英特尔即将对平板电脑和上网本推出基于Intel® 凌动™ 的Oak Trail平台。尺寸和电池寿命对于平板电脑市场十分重要，因此，小尺寸、高容量、低功耗的50纳米的2Gb DDR2内存将成为该市场的 理想存储解决方案。 美光的2Gb DDR2产品过渡到更先进的 50 纳米制程节点， 反映出美光对市场所需的技术的承诺和持续投资。从1Gb升级到2Gb 的元件除了容量提
- 关键字：美光50纳米DDR2
- 镁光刚刚宣布基于50纳米制程的2Gb DDR2芯片，主要面向平板电脑市场。 该芯片采用低电压DDR2标准制造，可与英特尔开发代号Oak Trail的Atom系统协同工作，容量方面，该芯片从512Mb到2Gb不等，可构成从1GB到4GB的UDIMMS和SODIMMS内存条，实现8亿MT/s传输能力。 得益于较小的制程，这款芯片可以工作在1.55V的低压下，以降低系统的电源需求。 镁光预计这种DD2存储芯片将在2010年9月开始出样，年末之前量产出货。
- 关键字：镁光50纳米DDR2
- Diodes公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管，它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装，能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计 (5 matrix emitter Bipolar process)。 这对互补性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面积只有1.1 x 1.4毫米，离版高度为0.5毫米，有助于设计出极其纤巧的便携式产品，还可改善产品的电性能及热特性。 这些微型晶体管适用于MOSFET
- 关键字：Diodes晶体管DFN1411-3
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