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三星512GB eUFS 3.1投产,传Galaxy Note 20率先采用
智能手机的运算能力越来越高,下载速度也越来越快,储存芯片的读写速度亦需要配合,才能发挥每个环节的最高效能。日前三星(Samsung)就宣布开始大规模投产512GB的eUFS 3.1储存芯片,它的特点就是其读写速度较上一代更快。
关键字:
三星
Galaxy Note 20
512GB eUFS 3.1
三星宣布全球首发量产512GB eUFS闪存
据介绍,三星512GB eUFS采用了三个三星最新的64层512千兆(Gb)V-NAND芯片和一个控制器芯片。
关键字:
三星
eUFS
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