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哪些半导体公司会成为22nm FD-SOI的尝鲜者?

  •   美国时间7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工艺平台,成为全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅),专为超低功耗芯片打造。      FD- SOI技术仍然采用平面型晶体管,目前并不为业内看好,因为无论Intel还是三星、台积电,22n时代起就纷纷转入了立体晶体管,也就是FinFET。GlobalFoundries技术实力欠佳,自己搞不出足够好的立体晶体管技术,22nm上只能继续改进平面型,20nm上努力了一
  • 关键字:FD- SOIFinFET

格罗方德半导体推出业内首个22nm FD-SOI工艺平台

  •   格罗方德半导体(GLOBAL FOUNDRIES)今日发布一种全新的半导体工艺,以满足新一代联网设备的超低功耗要求。“22FDX™”平台提供的性能和功耗媲美FinFET,而成本则与28nm平面晶体管工艺相当,为迅速发展的移动、物联网、RF连接和网络市场提供了一个最佳解决方案。   虽然某些设备对三维FinFet晶体管的终极性能有要求,但大多数无线设备需要在性能、功耗和成本之间实现更好的平衡。22FDX 采用业内首个22nm二维全耗尽平面晶体管技术(FD-SOI)工
  • 关键字:格罗方德FD-SOI

GlobalFoundries全球首发22nm FD-SOI工艺

  •   GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工艺平台,全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅),专为超低功耗芯片打造。 FD-SOI技术仍然采用平面型晶体管, 目前并不为业内看好,因为无论Intel还是三星、台积电,22n时代起就纷纷转入了立体晶体管,也就是FinFET。GlobalFoundries技 术实力欠佳,自己搞不出足够好的立体晶体管技术,22nm上只能继续改进平面型,20nm上努力了一阵放弃了,14nm索性直接借用三星的。   
  • 关键字:GlobalFoundriesFD-SOI

只能FinFET或FD-SOI?二合一也行!

  •   在我们大多数人“非黑即白”、“非此即彼”的观念里,半导体业者应该不是选择FinFET就是FD-SOI制程技术;不过既然像是台积电(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圆代工厂,必须要同时提供以上两种制程产能服务客户,有越来越多半导体制造商也正在考虑也致力提供“两全其美”的制程技术。   例如飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)最近就透露,该公司正在14至16奈米节点采用
  • 关键字:FinFETFD-SOI

FD-SOI制程技术已到引爆点?

  •   身为记者,我有时候会需要经过一系列的资料收集──通常包含非正式评论、随机事实(random facts)、推特文章、研讨会/座谈会资料或是公关宣传稿,然后才能把许多线索串联在一起;全空乏绝缘上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator,FD-SOI)就是一个例子。   我从美国旅行到中国接着又到欧洲,在与电子产业人士讨论技术的过程中,发现FD-SOI从一个不容易了解的名词,逐渐变得越来越“有形”。关于这个技术,我在最近这几个星期所收集到的随机
  • 关键字:晶圆FD-SOI

CAN FD 总线技术分析

  •   最近越来越多工程师关注CAN FD,同时也会向虹科反馈CAN FD的产品应用信息。编者觉得对于CAN FD的发布,对于中国的工程师或者是中国对CAN技术的应用将会迎来新的契机。试想,国外累计了20多年的CAN技术呈现出来的新技术-CAN FD,在它诞生没多久就可以见证和陪伴它的“成长”,对于技术工程师来说是多么美妙的事情。   刚好上个月参加CiA在天津的CAN FD技术发布会,期间编者有幸担当CiA 主席的Holger的现场翻译,也是收获良多。当第一次接触CAN FD,现场
  • 关键字:CANFD

Peregrine半导体公司在大中华市场推出UltraCMOS® 单片相位幅度控制器

  •   Peregrine半导体公司是射频 SOI(绝缘体上硅)技术的奠基者和先进射频解决方案的先驱,宣布在大中华市场推出该公司的新系列UltraCMOS®单片相位和幅度控制器(MPAC)。MPAC产品中集成了一个90度混合分离器、移相器、数字步进衰减器以及一个数字SPI接口,全部做在一块芯片上。与多芯片的砷化镓(GaAs)解决方案比较,这种单片射频控制器的线性度高,隔离性能好,能够控制很大的功率,相位调谐灵活性极强,对于两路动态负载调制放大器结构,例如多尔蒂(Doherty)功率放大器,是理想的射频控制方案
  • 关键字:PeregrineSOIMPAC

华虹半导体推出0.2微米射频SOI工艺设计工具包

  •   全球领先的200mm纯晶圆代工厂-华虹半导体有限公司(「华虹半导体」或「公司」,连同其附属公司,统称「集团」)今日宣布推出全新的0.2微米射频SOI (绝缘体上硅)工艺设计工具包(Process Design Kit,PDK)。这标志着新的0.2微米射频SOI工艺平台已成功通过验证,并正式投入供客户设计开发使用。工艺设计工具包(PDK)的推出可协助客户快速完成高质量射频器件的设计与流片。   华虹半导体的0.2微米SOI工艺平台是专为无线射频前端开关应用优化的工艺解决方案。相比基于砷化镓(GaAs)
  • 关键字:华虹半导体SOI

罗德与施瓦茨公司示波器引领CAN-FD高速接口协议分析

  •   CAN-FD总线协议选件发布,支持高达15Mbps数据速率的总线控制局域网性能。优势在于现代汽车电子领域的管理解决方案。R&S RTx-K9选件使得R&S RTE和R&S RTO用户能够分析总线接口和协议触发。基于硬件解码分析能够使用示波器快速的找到错误,加速CAN FD接口协议测试的认证和调试过程。   客户可以直接触发报文起始,报文结束和数据值,并且可以采用高性能的搜索功能找出相关的事件。解码后的报文结果可以以不同颜色表示的报文内容显示或者以表格形式显示。在解码总线配置时
  • 关键字:罗德与施瓦茨CAN-FD

意法半导体(ST)发布2013年企业可持续发展报告

  •   横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体公布了2013年可持续发展报告(Sustainability Report)。意法半导体连续17年公布可持续发展报告。报告内容全面地介绍意法半导体在2013年实施的可持续发展战略、政策和业绩,并例证了可持续发展计划如何在企业经营中发挥重要作用,为所有的利益相关者创造价值。   意法半导体公司总裁兼首席执行官Carlo Bozotti表示:“意法半导体在很早之前就认识到了可持续发展的重要性,20年来,可持续发展已成为意法半导体核心战略的
  • 关键字:意法半导体FD-SOI可持续发展

需要更快的速度:CAN FD

  •   CAN FD 到底是什么意思?全双工?频域?还是消防局?都不是,实际上它是 CAN 领域的最新技术,FD 代表 Flexible Data-rate(灵活数据速率),几年前由博世公司的一篇白皮书引入该领域,目前已经过标准化,成了 ISO11898-1 的更新版本。  控制域网络 (CAN) 是一个常见的通信协议及总线,主要用于对微处理器需要通信的分布式应用进行互连。众所周知,该技术植根于汽车领域。经过多年的发展壮大,它目前可用于工业控制、现场总线、大型家用电器、航空航天甚至咖啡机等众多应用。这种协议层
  • 关键字:CAN FDTIISO11898-2

Teledyne LeCroy发布CAN FD串行触发和解码方案,扩展汽车总线测试领导地位

  •   Teledyne LeCroy 今天发布业界首个CAN FD触发和解码解决方案,进一步丰富了已有的汽车电子测试工具(CAN, LIN, FlexRay, SENT, MOST 和 BroadR Reach)。CAN FD触发和解码功能可以帮助设计者洞察被测系统,将物理层信号和协议层数据同时显示在一个界面上。CAN FD触发功能可以隔离Frame ID、特定数据包、remote frames 以及 error frames。解码功能运用不同颜色的背景叠层,清晰标识出数据不同的帧结构,允许用户快速识别出诸
  • 关键字:力科CAN FDFrame ID

IBM针对RF芯片代工升级制程技术

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字:IBMRF芯片代工升级制程技术SiGeSOI

Peregrine半导体公司在电子设计创新会议上推出UltraCMOS Global 1射频前端

  •   Peregrine半导体公司是射频SOI(绝缘体上硅)技术的创始人、先进的射频解决方案之先驱,今天,在电子设计创新会议(EDI CON 2014)上,宣布UltraCMOS Global1在大中华地区首次亮相。UltraCMOS Global 1是行业中第一个可重构射频前端( RFFE )系统。由于在一块芯片上集成了射频前端(RFFE)的所有元件,UltraCMOS Global 1是单一平台的设计──
  • 关键字:Peregrine射频SOI

非制冷红外焦平面阵列电路设计

  •   针对SOI二极管型非制冷红外探测器,设计了一种新型读出电路(ROIC)。该电路采用栅调制积分(GMI)结构,将探测器输出电压信号转化为电流信号进行积分。设计了虚拟电流源结构,消除线上压降(IR drop)对信号造成的影响。电路采用0.35μm 2P4M CMOS工艺进行设计,5V电源电压供电。当探测器输出信号变化范围为0~5mV时,读出电路仿真结果表明:动态输出范围2V,线性度99.68%,信号输出频率5MHz,功耗116mW。
  • 关键字:红外ROICCMOSSOIGMI201404
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