什么是对抗性神经网络?为什么它能入选MIT十大突破性技术?它的发展脉络如何?与我们此前耳熟能详的神经网络有什么区别?能够应用在人工智能的哪些场景?还有哪些关键问题有待攻克?
关键字：AI GAN
超密集组网通过增加基站部署密度，可实现频率复用效率的巨大提升，并且带来可观的容量增长，未来随着基站数量的增加，基站内射频器件的需求也将随之大幅提升。高通预测，射频前端的市场规模预估到2020年将达到180亿美元。Small Cell Forum预测，全球小基站市场空间有望在2020年超过60亿美元。 Qorvo亚太区FAE高级经理杨嘉 有业内分析师就表示，3.5GHz以上所有宏基站部署将看到GaN逐步取代LDMOS，同时，GaAs也将从小型基站网络的需求增长中受益。Qorvo亚太区FA
关键字：GaN 5G
慕尼黑上海电子展举办，作为亚洲第一电子大展，展会吸引了数万名电子行业的观众到场参观学习。而全球先进的元件分销商——世强元件电商，则携物联网、汽车、微波通信、功率电子、工业控制及自动化、结构件、阻容感、材料、测试测量等九大领域的最新产品及方案亮相。 凭借集成电路、元件、材料、部件、仪器、阻容感等全品类的电子元器件展示，以及NB-IOT、工业物联网、无线充电与快充、工业4.0、人工智能、楼宇照明、智能网联汽车、新能源汽车、5G通信、蓝牙Mesh等众多热门市场的最新产品的展示，世强元件电商吸引了大批工程师
关键字：SiC GaN
2018年3月6日，Nexperia(安世半导体)公司广东分立器件封装和测试新工厂正式投产，该工厂将重点解决产能问题，用于支持Nexperia后续业务发展规划。 【安世半导体(中国)有限公司广东后道工厂】 据Nexperia首席运营官Sean Hunkler介绍，新工厂投产之后，Nexperia全年总产量将超过1千亿件。除了提供SOT23、SOD323和523、SOT223、SOT143、MCD、Ucsp、Flip Chip等封装外，还提供安世半导体(中国)有限公司开发的最新封装，包括
关键字：安世 GaN
德州仪器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出两款新型高速氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)驱动器，进一步扩展了其业内领先的GaN电源产品组合，可在激光雷达(LIDAR)以及5G射频(RF)包络追踪等速度关键应用中实现更高效、性能更高的设计。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的开关频率的同时提高效率，并可实现以往硅MOSFET无法实现的5倍更小尺寸解决方案。欲了解更多信息，请访问www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.
关键字：TI GaN
《麻省理工科技评论》于近日揭晓2018 年“全球十大突破性技术”，这份全球新兴科技领域的权威榜单至今已经有 17 年的历史。 1、给所有人的人工智能 AI for everyone 入选理由：将机器学习工具搬上云端，将有助于人工智能更广泛的传播 重大意义：目前，人工智能的应用是受到少数几家公司统治的。但其一旦与云技术相结合，那它将可以对许多人变得触手可及，从而实现经济的爆发式增长。 主要研究者：Google,亚马逊，阿里云，腾讯云，百度云，金山云，京东云
关键字：机器学习 GAN
一枚看似不起眼、“又轻又薄”的晶片，却能做出高功率密度、高效率、宽频谱、长寿命的器件，是理论上电光、光电转换效率最高的材料体系。这个“小身体大能量”的晶片叫作氮化镓(GaN)衬底晶片，是苏州纳维科技有限公司(以下简称苏州纳维)的主打产品。 “不会游泳的时候就跳下了水” 苏州纳维依托中科院苏州纳米所而建。作为中国首家氮化镓衬底晶片供应商， 团队从氮化镓单晶材料气相生长的设备开始研发，逐步研发成功1英寸、2英寸、4英寸、6
关键字：GaN 氮化镓
EPC公司将于2018年1月9日至12日在美国拉斯维加斯举行的国际消费电子展(CES® 2018)展示eGaN®技术如何实现两种改变业界游戏规则的消费电子应用 -- 分别是无线充电及自动驾驶汽车的激光雷达应用。 EPC将在AirFuel联盟于CES 2018展览摊位携手合作展示基于氮化镓器件并嵌入桌面的无线充电系统，可以在桌面上任何位置对多种设备同时充电，可传送高达300 W功率。可传送这么大功率使得我们可以同时对电脑、电脑显示器、桌灯、掌上型电脑及
关键字：宜普 GaN
接近62%的能源被白白浪费 美国制造创新网络(目前称为MgfUSA)已经阐明了美国制造业规划的聚焦点在材料与能源。清洁能源智能制造CESMII中的清洁能源与能源互联网自不必说，而在复合材料IACMI和轻量化研究院LIFT中都关注到了汽车减重设计，本身也是为了降低能源消耗的问题。在美国第二个创新研究院“美国电力创新研究院” Power Amercia(PA)其关注点同样在于能源的问题。这是一个关于巨大的能源市场的创新中心。 图1：整体的能源转换效率约在38
关键字：SiC GaN
未来五年，通信产业向5G时代的革命性转变正在深刻重塑RF(射频)技术产业现状。这不仅是针对智能手机市场，还包括3W应用RF通信基础设施应用，并且，5G将为RF功率市场的化合物半导体技术带来重大市场机遇。 未来几年，据Yole最新发布的《RF功率市场和技术趋势-2017版》报告预计，随着电信基站升级和小型基站部署的需求增长，RF功率市场将获得强劲增长。2016~2022年期间，整体RF功率市场营收或将增长75%，带来9.8%的复合年增长率。这意味着市场营收规模将从2016年的15亿美元增长至202
关键字：GaN 5G
展望未来，采用GaN制程的RF PA将成为输出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技术，LDMOS制程的市场份额则会明显萎缩。
关键字：5G GaN
什么是MOCVD? MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。 MOCVD设备主要用于半导体材料衬底的外延生长，是LED以及半导体器件的关键设备。 根据Technavio统计，全球MOCVD市场的复合年平均增长率将在2021年之前增长到14%，市场规模将从201
关键字：MOCVD GaN
GaN 功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代
关键字：GaN SiC 第三代半导体材料
随着无线通信的带宽、用户数目以及地理覆盖范围扩展，基地台收发器的功率放大器(PA) 部份对于更高效率的需求也不断成长。无线功率放大器所消耗的功率超过了基地台运作所需功率的一半。透过提高效率来减少功耗具有多项优势，首先，最明显的好 处是降低运营成本；同时，更少的热意味着更低的设备冷却需求以及更高的可靠性。
关键字：GaN AMO 放率放大器 LINC DPDm
gan介绍
GaN 即氮化镓，属第三代半导体材料。 [
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