首页 | 嵌入式系统 | 显示技术 | 模拟IC/电源 | 元件与制造 | 其他IC/制程 | 消费类电子 | 无线/通信 | 汽车电子 | 工业控制 | 医疗电子 | 测试测量
首页> 分享下载> 模拟IC/电源> 提高单极PFC方法

提高单极PFC方法

资料介绍
氮化镓MOSFET适合高频
同时低损耗
代替COOL-MOSFET
性能远好远COOL-MOSFET
Tr
hz an
Ho 02 sph
ng 1@ or
,1 qq m
35 .c Pr
o1 om op
77 rie
59 ta
77 ry
Tr
hz an
Ho 02 sph
ng 1@ or
,1 qq m
35 .c Pr
o1 om op
77 rie
59 ta
77 ry
Tr
hz an
Ho 02 sph
ng 1@ or
,1 qq m
35 .c Pr
o1 om op
77 rie
59 ta
77 ry
Tr
hz an
Ho 02 sph
ng 1@ or
,1 qq m
35 .c Pr
o1 om op
77 rie
59 ta
77 ry
标签: GAN氮化镓MOSFET
提高单极PFC方法
本地下载

评论