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芯片加密后究竟能不能再次使用？

　　随着信息技术的发展，信息的载体-芯片的使用也越来越多了，随之而来的芯片安全性的要求也越来越高了，各个芯片厂商对芯片保密性要求越来越高，芯片的加密，保证了芯片中的信息的安全性。经常有客户打电话过来问，这个芯片加密了还能不能用啊。本文通过对芯片的加密的介绍来看看不同的Flash，MCU以及DSP加密的效果。　　一、Flash类型芯片的加密　　Flash类芯片(包括SPI FLASH ,并行FLASH，NAND FLASH等)加密后一般情况下都是禁止“写”以及“擦除”操作，通过
关键字：芯片 Flash

美光3D NAND技术发威抢占边缘存储商机

　　美系存储器大厂美光(Micron)3D NAND技术逐渐成熟后，开始拓展旗下产品线广度，日前耕耘工业领域有成，将推出影像监控边缘储存解决方案，32GB和64GB版microSD卡抢先问世，预计2018年第1季128GB和256GB版会开始送样，同年第2季量产。　　美光的64层3D NAND技术今年成熟且开始量产，除了主攻服务器∕企业端、消费性固态硬碟(SSD)领域，也积极推动工业领域应用，日前推出全系列的影像监控边缘装置储存解决方案产品组合，以32GB和64GB版microSD卡抢先试水温。　
关键字：美光 NAND

IC Insights：全球半导体2017年上调市场预测提升至22％

　　据IC Insights预测，2017年的IC市场增长率有望提高到22%，较今年年中预期的16%再提升6个百分点，出货量增长率预测也从年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市场预测是由于DRAM和NAND闪存市场的激增。　　此外，IC Insights同时调稿对O-S-D(光电子，传感器/执行器和分立器件)市场的预测。总体而言，2017年半导体产业整体预计增长达20%，比年中预期调高5个百分点。　　2017年，IC Insights预测DRAM的平均售价将大涨77%，预计今年将推动DRAM
关键字：DRAM NAND

CAM350不可不知的两大应用技巧

CAM350不可不知的两大应用技巧-有些资料的文字层有很多文字框，且文字框到线路PAD 间距不满足制程能力时；当资料有大面积铜箔覆盖，线路或PAD与铜皮的距离不在制作要求之内，且外型尺寸又较大时...可借鉴本文的处理方法
关键字：Flash CAM350 PAD

DRAM/NAND都是啥？科普内存和硬盘的区别

DRAM/NAND都是啥？科普内存和硬盘的区别-现如今随着手机的不断推广和普及，已掩盖电脑时代的辉煌，很多新生代的用户都与手机的存储就陷入了茫然。
关键字：DRAM NAND 存储器

东芝受恶意攻击导致NAND停产：预估少生产40万TB容量

　　援引DigiTimes报道，东芝的NAND部门近日遭受了非常严重的恶意攻击，被迫关闭NAND生产线数周时间，这将导致近阶段公司NAND闪存的供应比较紧张。　　DigiTimes消息称为了清除恶意程序，东芝公司的NAND生产线将停工3-6周时间才能恢复正常供应，预估将减少10万个wafers产量。PCGamesN网站预估假设这段停产时间正常生产，能够带来5000万个芯片或者40万TB的NAND闪存。　　近年来由于智能手机和服务器的需求不断增大，NAND的售价也水涨船高。但是由于NAND厂商在生产
关键字：东芝 NAND

DRAM涨潮再起谁才是真正赢家？

DRAM供货吃紧的情况下，其再次出现价格疯涨现象，在NAND Flash以及DRAM市场涨潮不断的这场角逐中，也许大家都是赢家。
关键字：DRAM NAND

基于magnum 2 测试系统的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的测试技术研究

　　摘要：NAND FLASH在电子行业已经得到了广泛的应用，然而在生产过程中出现坏块和在使用过程中会出现坏块增长的情况，针对这种情况，本文介绍了一种基于magnum II 测试机的速测试的方法，实验结果表明，此方法能够有效提高FLASH的全空间测试效率。另外，针对NAND FLASH的关键时序参数，如tREA(读信号低电平到数据输出时间)和tBERS(块擦除时间)等，使用测试系统为器件施加适当的控制激励，完成NAND FLASH的时序配合，从而达到器件性
关键字：NAND magnum

DRAM与NAND的区别及工作原理

DRAM与NAND的区别及工作原理-本文就DRAM与NAND在工作原理上做比较，弄清两者的区别
关键字：DRAM NAND RAM

Nand Flash编程应用难点浅析

　　Nand Flash存储器是flash存储器的一种，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，如嵌入式产品中包括数码相机、记忆卡、体积小巧的U盘等。　　1989年，东芝公司发表了Nand Flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。经过十几年的发展，NAND应用越来越广泛，但是大多数工程师却仍然不知道关于NAND应用的一些难点：分区、ECC纠错、坏块管理等。只有真正了
关键字：Nand Flash 东芝

3D NAND微缩极限近了吗？

随着平面的2D NAND Flash制程逐渐面临微缩极限，3D NAND的平均生命周期也可能比大多数人所想象的更短许多...
关键字：3D NAND 摩尔定律

一招教你如何使用嵌入式参数代码，入门必懂知识

一招教你如何使用嵌入式参数代码，入门必懂知识-如果有几个设置参数需要存储到Flash中，我们一般会怎么存储呢？将不同的参数都存储到不同的页中，还是将这几个参数捆绑成一种结构体，每次修改都同时写入一次呢？将参数存储到固定的地址，则每个参数都将占用Flash的一个块。而将全部参数捆绑一起存入Flash块中，那么只有一个参数修改时，也需要将全部参数一起存一遍。那么有什么更好的方法吗？
关键字：ram flash 源代码

群联潘健成：未来五年 NAND供不应求

　　内存股王群联电子昨(27)日举行股东临时会补选一席董事，由日商东芝内存株式会社(TMC)当选。在市场供需方面，群联董事长潘健成乐观表示，未来五年，储存型闪存(NANDFlash)将持续供不应求。　　台湾东芝先进半导体因集团组织调整，今年8月1日辞去群联董事，群联昨日召开股东临时会补选，并顺利由东芝内存株式会社当选。　　潘健成表示，东芝内存主导负责东芝的全球半导体事业，东芝已将群联股权移转给东芝内存;而群联与东芝间不仅相互投资，也透过合作互补，强化技术，双方关系将比过去15年更加紧密，在产业的竞
关键字：NAND

2018年NAND Flash供给年增42.9%，全年度供需由紧俏转为平衡

　　根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，2017年NAND Flash产业需求受到智能手机搭载容量与服务器需求的带动，加上供给面受到制程转进进度不如预期的影响下，供不应求的状况自2016年第三季起已持续六个季度;展望2018年，NAND Flash供给将增加42.9%，需求端将成长37.7%，明年整体供需状况将转为供需平衡。　　DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮指出，从NAND Flash的供给面来看，因为NAND制程从2D转进3D不如预期，导致2017年非三星阵营的新
关键字：NAND 西数

NAND闪存市场持续高涨，NAND闪存市场持续高涨，2020年将超DRAM

9月6日，深圳市闪存市场资讯有限公司(ChinaFlashMarket)在深圳主办了“中国存储·全球格局”为主题的中国闪存市场峰会(China Flash Market Summit 2017)，本文根据部分会议内容整理了国内外NAND闪存及部分非易失存储器市场信息。
关键字：闪存 NAND 3D Xpoint 201710

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nand flash介绍

　Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。　　NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [ 查看详细]