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NAND Flash 大降价，固态硬盘取代机械硬盘指日可待

  • 相信有很多小伙伴已经注意到了，目前市场上很多固态硬盘的价格相比去年又降低了不少。这是由于制造固态硬盘所需的 NAND 芯片降价导致的。根据集邦咨询的数据显示，NAND Flash 市场自 2022 年下半年以来面临需求逆风，供应链积极去化库存加以应对，此情况导致第四季 NAND Flash 合约价格下跌 20-25%，其中 Enterprise SSD（企业级固态硬盘）是下跌最剧烈的产品，跌幅约 23-28%。这对于 NAND 芯片厂商来说并不是什么好消息，但对于普通消费者来说，我们确实能买到更便宜的固态
  • 关键字：NAND Flash

内存双雄：市况否极泰来

  • 华邦消费性电子应用需求回温本季是谷底；南亚科上半年跌幅收敛。
  • 关键字：DRAMNAND

(2023.3.20)半导体周要闻－莫大康

  • 半导体周要闻2023.3.13-2023.3.171. 任正非：华为三年完成了13000型号器件的替代开发近日，华为公司在深圳坂田总部举办“难题揭榜”火花奖颁奖典礼，为在解题揭榜中做出突出贡献的获奖人员代表颁奖，华为总裁任正非发表了讲话，部分参与座谈的大学发布了座谈纪要。任正非表示，在美国制裁华为这三年期间，华为完成 13000 + 型号器件的替代开发、4000 + 电路板的反复换板开发等，直到现在电路板才稳定下来，因为有了国产的零部件供应。任正非表示，华为现在还属于困难时期，但在前进的道路上并没有停步。
  • 关键字：莫大康半导体华为光刻机NAND

存储器厂商Q1亏损恐难逃

  • 由于DRAM及NAND Flash第一季价格续跌，加上库存水位过高，终端消费支出持续放缓，据外电消息，韩国三星电子及SK海力士本季度的芯片业务恐因提列库存损失而面临数十亿美元亏损。法人指出，南亚科（2408）及华邦电（2344）因减产及跌价导致营收及毛利率持续下滑，第一季本业亏损恐将在所难免。据外电报导，三星电子3月19日提交给韩国金融监督院的申报文件中指出，截至去年第四季，整体库存资产达到52.2兆韩元（约折合399亿美元），远高于2021年的41.4兆韩元并创下历史新高。其中，占三星营收比重最高的半导
  • 关键字：存储器DRAMNAND Flash

存储大厂展示300层NAND Flash，预计最快2024年问世

  • 近日，在第70届IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，韩国存储器大厂SK海力士展示了最新300层堆叠第八代3D NAND Flash快闪存储器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快闪存储器预定两年内上市，有望打破纪录。外媒报导，SK海力士揭示有更快资料传输量和更高储存等级的第八代3D NAND Flash开发，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2单位容量、16KB单页容量、四个平面和2,400MT/s的介面。最大资料传输量达194MB/s，较上一代238层堆叠和164MB/
  • 关键字：300层NAND FlashSK海力士

(2023.3.20)半导体周要闻-莫大康

  • 半导体一周要闻2023.3.13-2023.3.171. 任正非：华为三年完成了13000型号器件的替代开发近日，华为公司在深圳坂田总部举办“难题揭榜”火花奖颁奖典礼，为在解题揭榜中做出突出贡献的获奖人员代表颁奖，华为总裁任正非发表了讲话，部分参与座谈的大学发布了座谈纪要。任正非表示，在美国制裁华为这三年期间，华为完成 13000 + 型号器件的替代开发、4000 + 电路板的反复换板开发等，直到现在电路板才稳定下来，因为有了国产的零部件供应。任正非表示，华为现在还属于困难时期，但在前进的道路上并没有停步
  • 关键字：半导体莫大康华为NAND光刻机

均价跌幅扩大，2022年第四季NAND Flash总营收环比下跌25%

  • TrendForce集邦咨询最新调查显示，NAND Flash市场自2022年下半年以来面临需求逆风，供应链积极去化库存加以应对，此情况导致第四季NAND Flash合约价格下跌20~25%，其中Enterprise SSD是下跌最剧烈的产品，跌幅约23~28%。在原厂积极降价求量的同时，客户为避免零部件库存再攀高，备货态度消极，使得第四季NAND Flash位元出货量环比增长仅5.3%，平均销售单价环比减少22.8%，2022年第四季NAND Flash产业营收环比下跌25.0%，达
  • 关键字：集邦NAND Flash

支持下一代 SoC 和存储器的工艺创新

  • 本文将解析使 3D NAND、高级 DRAM 和 5nm SoC 成为可能的架构、工具和材料。要提高高级 SoC 和封装（用于移动应用程序、数据中心和人工智能）的性能，就需要对架构、材料和核心制造流程进行复杂且代价高昂的更改。正在考虑的选项包括新的计算架构、不同的材料，包括更薄的势垒层和热预算更高的材料，以及更高纵横比的蚀刻和更快的外延层生长。挑战在于如何以不偏离功率、性能和面积/成本 (PPAC) 曲线太远的方式组合这些。当今的顶级智能手机使用集成多种低功耗、高性能功能的移动 SoC 平台，包括一个或多
  • 关键字：3D NANDDRAM5nmSoC

西部数据宣布进一步削减生产和投资，NAND 晶圆产量将减少至 30%

  • IT之家 2 月 7 日消息，据韩媒 Business Korea 报道，在内存半导体行业持续低迷的情况下，全球 NAND 闪存市场第四大公司西部数据宣布将进一步缩减设备投资和生产。西部数据 1 月 31 日在 2022 年第四季度业绩电话会议上表示，2023 财年设备投资总额将达到 23 亿美元（当前约 156.17 亿元人民币）。据IT之家了解，这一数字比 2022 年 10 月披露的 27 亿美元（当前约 183.33 亿元人民币）下降了 14.8%，与 2022 年 8 月公布
  • 关键字：NAND内存西部数据

NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成

  • 消费性固态硬盘（Client SSD）受惠于疫情红利，在过去二年作为推动全球NAND Flash需求位成长的要角，市调机构集邦预估，2022年消费性SSD在笔电的渗透率达92％，2023年约96％。但随疫情红利退场，加上总经不佳导致消费性电子需求急冻，未来消费性SSD需求放缓最明显，连带使整体NAND Flash需求位成长受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消费性SSD于笔电搭载容量已逾500GB，512GB消费性SSD在近期迅速跌价后，已与半年前256GB报价相近，甚至
  • 关键字：NAND Flash

基于FPGA的NAND FLASH坏块表的设计与实现

  • 在现代电子设备中，越来越多的产品使用NAND FLASH芯片来进行大容量的数据存储，而且使用FPGA作为核心处理芯片与NAND FLASH直接交联。根据NAND FLASH的特点，需要识别NAND FLASH芯片的坏块并进行管理。FPGA对坏块的管理不能按照软件的坏块管理方式进行。本文提出了一种基于FPGA的NAND FLASH芯片坏块表的设计方法，利用FPGA中RAM模块，设计了状态机电路，灵活地实现坏块表的建立、储存和管理，并且对该设计进行测试验证。
  • 关键字：NAND FLASHFPGA坏块坏块检测202212

全球首款！美光232层NAND客户端SSD正式出货

  • 12月15日，美光宣布，已开始向PC OEM客户出货适用于主流笔记本电脑和台式机的美光2550 NVMe固态硬盘（SSD）。据官方介绍，美光2550是全球首款采用200+层NAND技术的客户端SSD，该产品基于PCIe 4.0架构，采用美光232层NAND技术，加强了散热架构和低功耗设计。美光2550 SSD可在包括游戏、消费和商用客户端等主流PC平台上提升应用程序的运行速度和响应灵敏度。与竞品相比，2550 SSD文件传输速度快112%，办公应用运行速度快67%，主流游戏加载速度快57%，内容创
  • 关键字：美光232层NANDSSD

韩国芯片出口暴降30%！SSD腰斩白菜价甩卖：SK海力士、三星亏到家

  • 作为韩国的重要支柱，芯片出口的多少，直接关系着几大财团的营收，比如三星、SK海力士等等。据国外媒体报道，消费电子产品需求下滑，导致对芯片的需求下滑，尤其是存储芯片，需求与价格双双下滑。韩国关税厅最新公布的数据显示，在11月份的前20天，韩国芯片出口52.8亿美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韩国重要的出口产品还有智能手机等移动设备，但这一类产品的出口额在前 20 天的出口额，也同比下滑20.6%，降至13.6亿美元。比较有标志性的一个现象是，全球智能手机老大已经在不停的砍单了，至少在3000万部，这也
  • 关键字：三星SK海力士DRAMNAND

三星开始量产第8代V-NAND，存储密度高达1Tb

  • 作为全球化的半导体企业，正如在2022年度闪存峰会和2022年度三星内存技术日上所承诺的，三星今日宣布，已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb（太字节）三比特单元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。三星电子第八代V-NAND，1Tb三星闪存产品与技术执行副总裁SungHoi Hu表示："市场对更高密度、更大容量存储的需求，推动了V-NAND层数的增加，三星采用3D缩放（3
  • 关键字：三星V-NAND存储密度

三星宣布量产第 8 代 V-NAND 闪存，PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps

  • IT之家 11 月 7 日消息，虽然还没有发布任何实际产品，但三星电子现宣布已经开始大规模生产其 236 层 3D NAND 闪存芯片，该公司将其命名为第 8 代 V-NAND。新一代存储芯片可带来 2400MTps 的传输速度，当搭配高端主控使用时，它可使得消费级 SSD 的传输速度轻松超过 12GBps。据介绍，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星电子没有公开 IC 的大小和实际密度，不过他们称之为业界最高的比特密度。三星声称，与现有相同容量的闪存芯片相比，
  • 关键字：V-NAND闪存三星
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