- 近日消息 根据guru3D的报道，随着NAND闪存技术的创新发展，固态硬盘TB内存时代即将到来，SK海力士现已推出了第一批基于其128层4D NAND产品样品。
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SK 4D NAND 128层
- 网易科技讯 9月2日消息 紫光集团旗下长江存储在IC China 2019前夕宣布，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
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3D NAND
- Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，继6月中旬东芝断电事件后，日本政府近日宣布从7月4日起，开始管控向南韩出口3种生产半导体、智能手机与面板所需的关键材料，造成存储器产业下游模组厂出现提高报价状况，然而，由于目前DRAM和NAND Flash库存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出货，仅是申请流程延长，短期结构性供需反转的可能性低。日韩贸易战的爆发使得业界盛传存储器价格将反转，集邦咨询分析指出，因DRAM价格已历经连续三个季度快速下滑，下游
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日韩贸易战 东芝 DRAM/NAND
- SLC、MLC、TLC、QLC……不同闪存规格一路走下来，虽然容量越来越大，但是性能、寿命、可靠性却是越来越弱，只能通过其他方式弥补。就像之前很多人抗拒TLC一样，现在依然有很多人不接受QLC，但大势不可逆转。
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美光 3D QLC 闪存
- SK海力士于26日宣布，将量产全球首款128层的1Tb（Terabit） TLC 4D NAND闪存，并计划下半年开始销售。
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SK海力士 4D NAND 128层
- 日本三重县四日市日前发生停电意外，市场传出存储器大厂东芝存储器(TMC)当地营运的5座 NAND Flash工厂的营运中断，尽管东芝存储器尚未对外说明影响，但据传出，合作投资的威腾(WD)已通知客户可能无法按照原定时程出货。
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威腾 东芝存储器 NAND Flash
- 3D QLC颗粒的出现，使得固态硬盘消除了容量劣势，但传输性能、PE值缺点也暴露出来。若将傲腾与3D QLC结合，则可为基于3D QLC颗粒的固态硬盘加点“血”。
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固态硬盘 SSD 3D QLC
- NAND闪存价格已经连跌了6个季度，这让上游NAND厂商三星、东芝、美光等损失惨重，纷纷削减NAND产能。在群联台北电脑展上，群联公司董事长潘建成也预测NAND闪存价格已经跌破了成本，未来跌幅会收窄，需求则会升温。
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NAND 减产
- 市场传出，长江存储有意改变策略，越过大股东紫光集团的销售管道，采取自产自销3D NAND芯片的模式，也让双方暗自较劲的角力战俨然成形。
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紫光集团 长江存储 3D NAND
- 当前，我们正在经历第四次工业革命的历史进程，在这里催生了很多新技术和新市场，比如物联网、人工智能、新能源、3D打印、纳米技术等等。这么多新的技术和产品相互激励、互相融合，共同推动半导体行业不断发展，从而改变人类的生活方式。
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物联网 Entegris 3D NAND
- Admin 固态硬盘 今天由于NVMe的价格溢价下降，预计今年PCIe连接驱动器的销售量将与SATA固态硬盘达到同等水平。 据报道，固态硬盘(SSD)和闪存卡中使用的NAND闪存大幅降价正在推动市场两端的销售。制造商正在为相对有利可图的企业和数据中心用例定制新的解决方案，而客户端SSD的低成本正在推动OEM厂商的采用率，以包含在PC中。 根据该报告，最引人注目的是，512 GB固态硬盘的单价与2018年同期的256 GB固态硬盘相匹配，预计到2019年剩余时间内固态硬盘的价格将从512
GB降
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NAND SSD
- Mar. 20, 2019 ----
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查指出，受到服务器需求疲弱、智能手机换机周期延长、苹果新机销售不如预期等终端需求不佳冲击，2019年第一季各类NAND
Flash产品合约价综合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash转为供过于求以来跌幅最剧的一季。 展望第二季，DRAMeXchange分析师叶茂盛表示，历经第一季的需求低谷之后，智能手机、笔记本电脑及服务器等主要需求较第一季有所改善。另一方面，NAND
Flash供应商
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NAND UFS SSD
- 根据外媒的报道，东芝及其战略盟友西部数据准备推出更高密度128层3D NAND闪存。在东芝的命名法中，该芯片将命名为BiCS-5。 据介绍，芯片将实现TLC，而不是更新的QLC。这可能是因为NAND闪存制造商仍然对QLC芯片的低产量有担心。该芯片的数据密度为512
Gb，新的128层芯片的容量比96层芯片多33%，可以在2020到2021年实现商业化生产。 据报道，新芯片每单位信道的写入性能从66 MB / s增加到132 MB /
s。据报道，该芯片还采用了CuA(阵列电路)，这是一
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东芝 西数 NAND
- 事实上中国巨额的投入也间接促进了韩、美两国大厂资本开支的上升。三星2017年在DRAM和NAND上投入的资本开支就达到200亿美金，因此，我国厂商的数字分摊到每年，还难以和龙头厂商相比。虽然在量产初期，如此巨大的资本开支也会给中国企业带来不小的折旧压力，下行周期中技术、管理略逊的中国企业可能必须经历几年内亏损，但若想实现存储器的国产替代，这种投入十分必要。
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NAND 存储器
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