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ROHM建立8V闸极耐压150V GaN HEMT量产体制

  • 半导体制造商ROHM已建立150V耐压GaN HEMT GNE10xxTB系列(GNE1040TB)?的量产体制,该系列产品的闸极耐压(闸极-源极间额定电压)高达8V,非常适用于基地台、数据中心等工控设备和各类型IoT通讯装置的电源电路。 EcoGaN首波产品 GNE10xxTB系列?有助基地台和数据中心实现低功耗和小型化一般来说,GaN组件具有优异的低导通电阻和高速开关性能,有助降低各种电源功耗和实现外围组件小型化。但其闸极耐压很低,因此在开关工作时的组件可靠性方面尚存在课题。针对该课题,RO
  • 关键字:SiCGaNROHM

ROHM确立栅极耐压8V的150V GaN HEMT量产体制

  • 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)已确立150V耐压GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列(GNE1040TB)”的量产体制,该系列产品的栅极耐压(栅极-源极间额定电压)*2高达8V,非常适用于基站、数据中心等工业设备和各种物联网通信设备的电源电路。一般而言,GaN器件具有优异的低导通电阻和高速开关性能,因而作为有助于降低各种电源的功耗和实现外围元器件小型化的器件被寄予厚望。但其栅极耐压很低,在开关工作时的器件可靠性方面存在问题。针对这一课题,ROHM的新产品通过采用自有的结构,成功
  • 关键字:ROHM150VGaNHEMT

罗姆SiC评估板测评:快充测试

  • 一、测试工装准备1、P02SCT3040KR-EVK-001测试板2、电压源3、示波器4、负载仪二、测试项目进行1、安装 SIC后的空载波形SiC安装空载波形空板,空载GS 为100hz 25V 信号2、DCDC 在线测试1)空载测试驱动空载输出12V,gs驱动为200hz总宽度3.6uS的锥形信号2)加载 24转55V 2A dcdc驱动信号波形如下:带载 6.6k 15V驱动信号单脉冲宽度,3uS左右总结由于轻负载,温度始终未超过50度。开关速度方面优于硅基产品,以后有对应设备
  • 关键字:SiC碳化硅MOSFETROHM

罗姆SiC评估板测评:射频热凝控制仪测试

  • 测试设备①直流电源由于手上没有高电压的直流电源,只能使用一般的电源,且手上只有一个低压直流稳压源,所以这稳压电源既用于给开发板电源供电,又用于半桥母线电源。②电子负载半桥电源电源的输出负载,可恒流或者恒压或者恒负载,测试电源的带载能力非常好用。③信号发生器产生不同频率的可调制的方波信号,用于MOS管的驱动④示波器观察驱动信号、输出信号、MOS管的波形⑤万用表测量各测试点的电压⑥温度巡检仪测量带载后MOS管的温度测试拓扑将说明书中电路按照上述描述修改:两个直流电源换成CBB电容,在Hvdc母线上加上12V电
  • 关键字:SiC碳化硅MOSFETROHM

罗姆SiC评估板测评:基于碲化镉弱光发电玻璃的高效功率变换技术研究

  • 感谢ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001评估板,有幸参与评估板的测试。拿到评估板的第一感觉就是扎实,评估板四层PCB的板子厚度达到了30mm;高压区域也有明显的标识。
  • 关键字:SiC碳化硅MOSFETROHM

ROHM新推出的激光二极管RLD90QZW3有哪些亮点?

  • 7月27日,罗姆媒体交流会成功举办。会上,来自罗姆半导体的专家们向电子产品世界等媒体介绍了新产品用于LiDAR的激光二极管的特性,分享了罗姆中期经营计划。
  • 关键字:ROHMRLD90QZW3FPLD

ROHM开发出LiDAR用75W高输出功率激光二极管“RLD90QZW3”

  • 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出一款高输出功率半导体激光二极管“RLD90QZW3”,非常适用于搭载测距和空间识别用LiDAR*1的工业设备领域的AGV*2(无人搬运车)和服务机器人、消费电子设备领域的扫地机器人等应用。
  • 关键字:ROHMRLD90QZW3激光二极管LiDAR

蓝绿色LED有助提升多元色觉者之色彩辨识性

  • 色彩一直是用来传递信息的重要方法之一,经常被运用于各种日常生活场景中。然而,据说全世界约有2亿人属于难以区分红色和绿色的P型、D型色觉族群[1],甚至可能由于某些颜色的组合,反而无法准确地传递信息。此外,由于色觉存在个体差异,因此很难去想象对方实际看到的颜色差异和不方便的地方,造成周遭的人也不容易注意到这些不便之处。 在这种情形下,为了能够将同样的讯息传送给更多的人,考虑到多元色觉者而采用色彩通用设计[2]的装置需求正陆续增长。ROHM研发具有特殊波长的蓝绿色芯片LED,将有助于改善各类装置的色彩通用设计
  • 关键字:蓝绿色LEDROHM

Wi-SUN无线通信模块的最新技术动态

  •   ROHM (罗姆)  摘 要:作为支撑IoT发展的无线通信技术,LPWA(Low Power Wide Area/低功耗广域网,顾名思义,功耗低且覆盖范围广)备受瞩目。虽然统称为“LPWA”,但方式有很多种,它们的优缺点也各不相同。本文将介绍其中ROHM重点开发的“Wi-SUN”的最新动态。  关键词:Wi-SUN;模块;电池驱动  1 什么是Wi-SUN  Wi-SUN是Wireless Smart Utility Network的缩写,是近年来制定的新无线通信标准。2012年Wi-SUN联盟成立,
  • 关键字:202006Wi-SUN模块电池驱动ROHM罗姆

5G基站电源器件需要高性能、稳定性和耐久性

  •   罗 姆 (ROHM)  面对5G基站建设多样化的需求和复杂的应用环境所带来的挑战,需要电源器件不仅具有高性能,同时还要具有稳定性和耐久性,以助力运营商和设备厂商更好地完成4G到5G的平稳升级,实现高速稳定的网络覆盖。  为此,罗姆(ROHM)针对无线基站推出了多款解决方案,包括SiC功率元器件、MOSFET和DC/DC转换器等。  1 针对UPS供电的电源IC  罗姆针对UPS供电方式,提供外置FET的升降压开关控制器“BD9035AEFV-C”、1ch同步降压型DC/DC转换器“BD9B304QWZ
  • 关键字:202006ROHM罗姆UPS供电电源IC5G

车载LED驱动器展开特色化竞争,ROHM推出欠压时安全亮灯的单芯片方案

  •   祝维豪 (《电子产品世界》编辑)  车载LED驱动器IC市场竞争十分激烈,厂商的核心竞争力体现在产品的特色,即在满足基本功能要求的基础上,实现差别化的设计。  以汽车DRL(日间行车灯)、位置灯及尾灯等众多插座型LED灯为例,当前,可维护的超小型插座型LED灯很受欢迎,但是当欠压时,往往所控制的1~3颗灯全灭。2020年4月,LED大厂ROHM(罗姆)推出了超小型高输出的线性LED驱动器IC——BD18336NUF-M,特点是当车载电池欠压时,仅1枚芯片即可实现安全亮灯,有助于DRL和位置灯用的最新插
  • 关键字:202005车载LED驱动器ICDRLROHM

打造新一代智能电表/感知层的解决方案

  •   姚玲玲 (罗姆半导体(上海)有限公司 技术中心 助理经理)  1 智能电表的发展机会  在智能物联网的应用中,罗姆(ROHM)目前主要着力点仍然在感知层。通过不断优化终端的数据采集和数据预处理,减轻边缘计算负担;提供无线传输方案,实现快速、安全的数据传输。  智能电网在建成“坚强智能电网”的基础上,正在与“泛电力物联网”相融合,以建设“能源互联网”。作为感知层的智能电表,将会承担“智慧网关”的角色。新一代智能电表引入操作系统、可插拔模组化设计理念,将主芯片分为管理芯和计量芯,新增了负荷识别模块,并可根
  • 关键字:202004罗姆半导体ROHM智能电表

罗姆全新小尺寸超高额定功率分流电阻器“GMR50”问市,适用于车载和工业领域

  • 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)开发出、分流电阻器“GMR50”,以5.0×2.5mm的小尺寸实现超高额定功率4W(引脚温度TK=90℃时),该产品非常适用于车载和工业设备使用的电机、电源电路的电流检测。
  • 关键字:ROHMGMR50分流电阻器

ROHM开发出抗干扰性能优异的比较器“BA8290xYxxx-C系列”

  • 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向汽车动力系统和引擎控制单元等在严苛环境下使用车载传感器的车载电装系统,开发出抗EMI性能*1(以下称“抗干扰性能”)极其出色的接地检测比较器*2“BA8290xYxxx-C系列”(BA82903YF-C / BA82903YFVM-C / BA82901YF-C / BA82901YFV-C)。在国际标准“ISO11452-2”的抗扰度测试中,本产品作为传感器输出信号等的阈值判断用比较器,在各种噪声频段均表现出极其出色的抗干扰性能,输出电压波动均在±1%
  • 关键字:ROHM比较器“BA8290xYxxx-C系列”

ROHM开发出确保安装可靠性的车载用超小型MOSFET“RV4xxx系列”

  • 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)开发出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET“RV4xxx系列”,该系列产品可确保部件安装后的可靠性,且符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101,是确保车规级品质的高可靠性产品。另外,产品采用了ROHM独有的封装加工技术,非常有助于对品质要求高的高级驾驶辅助系统(ADAS)摄像头模块等汽车电子的小型化。RV4xxx系列已于2019年5月份开始出售样品(样品价格 100日元/个,不含税),预计于2019年9月开始暂以月产10万个规模投入量产。近年来,A
  • 关键字:ROHM超小型MOSFET“RV4xxx系列”

rohm介绍

Rohm株式会社为全球知名的半导体生产企业,ROHM公司总部所在地设在日本京都市,1958年作为小电子零部件生产商在京都起家的ROHM,于1967年和1969年逐步进入了 晶体管、二极管领域和IC等半导体领域.2年后的1971年ROHM作为第一家进入美国硅谷的日本企业,在硅谷开设了IC设计中心.以当时的企业规模,凭借被称为"超常思维"的创新理念,加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗,ROHM [ 查看详细]

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